一直以來，芯片工藝都是兵家必爭之地，無論是英特爾、三星還是臺積電，而目前，三星在首爾宣布，正式開始10nm FinFET工藝SoC芯片的量產(chǎn)工作，進度業(yè)界第一，也就是領(lǐng)先臺積電和Intel。

據(jù)悉，三星目前的10nm工藝是10LPE(low-power early)，也就是早期低功耗版，這一點和14nm時代的進程一致，后續(xù)還會有10nm LPP(low power plus， advanced power processing)，預(yù)計明年下半年量產(chǎn)，可用于更高性能的芯片。

三星宣稱，在2017年初將會正式發(fā)布首款消費級別10nm芯片，相較14nm，10nm晶體管面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%?？磥磉@次三星走在前面了。