去年11月，高通聯合三星正式發(fā)布了全新一代的旗艦處理器驍龍835，當時已知其首發(fā)三星10nm FinFET工藝，還支持QC4.0快充標準。同時高通方面表示，驍龍835將于今年上半年開始正式上市。在此之前，其還將亮相本周舉行的CES2017。

日前，外媒Videocardz曝光了這一處理器的詳細規(guī)格的PPT，基本上對驍龍835我們已經知道的非常清楚了。

首先，驍龍835搭載了全新的Kryo 280架構八核心設計，四個大核心主打性能，最高主頻為2.45GHz，四個小核心主打續(xù)航，最高主頻為1.9GHz。PPT顯示，驍龍835在app啟動時間、網頁瀏覽和VR方面提升20%。

另外，驍龍835還帶來X16 LTE基帶，并整合Adreno 540 GPU、Hexagon 690 DSP等。其中，GPU方面提供了DX12、OpenGL ES和Vulkan應用的前沿性的3D畫面支持。DPU/VPU方面其將支持10位4K視頻。

上面說到了驍龍835將首次采用10nm制程，三星第二代FinFET工藝，尺寸和體積相比驍龍820更小，并將帶來續(xù)航方面的提升。

另外，其相比驍龍801將在功耗上減少50%，相比驍龍810而言也提升顯著。

事實上，運行該處理器的測試機型的跑分之前也已在網絡上曝光。從測試成績來看，其多核心相比目前驍龍820成績提升較為顯著，而單核心分數則提升不大。當然，由于是測試機型，不排除其還有提升空間。

預計搭載驍龍835的今年首批旗艦，包括三星GALAXY S8、LG G6、小米6、HTC 11等。其中，三星S8可能推遲至4月發(fā)布，LG G6、HTC 11將有望在MWC 2017上亮相。你對高通驍龍835還滿意嗎?