CES 2017 前夕，高通發(fā)布了新一代旗艦芯片驍龍 835 。驍龍 835 是一顆 8 核芯片，采用三星半導體的 10 納米工藝， 自主定制的 Kryo 280 架構、集成了 X16LTE 基帶。

與上一代芯片相比，驍龍 835 封裝尺寸減小35%、功耗降低 25 %、性能提升了 27 %，而續(xù)航時間則增加了 2.5 個小時。

除此之外，驍龍 835 還支持快充 Quick Charge 4 技術、支持雙攝像頭、支持 VR 、支持指紋識別以及基于面部的眼球或生物識別等。

這不是高通首次推出 8 核芯片，上一代高通 8 核芯片是“著名”的驍龍 810 ，因發(fā)熱嚴重，這款芯片曾一度讓高通和主流安卓手機廠商尷尬。

如今，又一款高通 8 核芯片問世，高通自然不想重蹈覆轍，因此從自研的 Kryo 280 架構以及 10 納米先進制程工藝等方面，改進芯片過熱的問題。

除此之外，新推出的快充 Quick Charge 4 技術不僅能帶來充電 5 分鐘，通話5小時的神奇體驗，而且還引入了更精細的電壓協(xié)商機制和安全保護機制，確保終端設備的快充安全。

相信不燙的高通旗艦芯片發(fā)布，將會讓手機廠商集體高潮。不過業(yè)界分析，鑒于此次高通與三星半導體的合作，首批搭載高通驍龍 835 芯片的可能只有三星 Galaxy S8 ，至于其他手機廠商，估計還要再等一段時間，才能用上這款芯片。