隨著全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設備等應用帶動的數(shù)據(jù)存儲市場的快速增長，存儲器產(chǎn)業(yè)迎來了全面的發(fā)展契機。中國是全球第二大經(jīng)濟體，也是最大的存儲產(chǎn)品消費市場，改變我國存儲產(chǎn)品嚴重依賴進口的局面，在該領域擁有自己的核心技術和產(chǎn)品，也符合國家的戰(zhàn)略需求。

近幾年，各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。2015年全球NAND Flash市場規(guī)模達到267億美元，預計到2020年將達到450億美元。

然而2D NAND Flash面臨發(fā)展瓶頸，接近物理極限，其單位面積存儲容量難以繼續(xù)提高，且可靠性降低，而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑。

2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，而3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200%的年均復合增長率遞增，預計2020年達到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。

除了東芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)都已投入3D NAND Flash技術布局。3D NAND Flash每年成長將達到100%，這是一個巨大的市場機會。

在轉(zhuǎn)向3D NAND方面，實力最強的三星跑得最快，東芝/SanDisk、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND Flash開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢，產(chǎn)能超過2D NAND Flash是遲早的事。

看好3D NAND Flash即將成為市場主流，2017年3D NAND Flash商機將噴發(fā)，三星、東芝、SK Hynix、美光與英特爾等大廠紛擴大3D NAND Flash投資力道，尋求技術與產(chǎn)能進一步突破。

為了不讓三星在3D NAND Flash技術世代搶占先機，英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰(zhàn)略，在制程技術與產(chǎn)能持續(xù)推進下，預計自2017年2月起針對資料中心、專業(yè)、消費性與嵌入式市場，將發(fā)布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中國存儲器戰(zhàn)略實現(xiàn)超越，DRAM生態(tài)走向寡占市場，主要被三星、海力士、美光等韓美廠占據(jù)，中國在國際市場上可以合作的技術授權方很少，另外相比NAND領域，DRAM存在更高的技術壁壘和大廠折舊優(yōu)勢，不利于中國實現(xiàn)彎道超車。

不同于基于微縮技術的2D NAND Flash，3D NAND Flash的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且除了三星，其他企業(yè)在3D NAND Flash布局方面走的并不遠。

基于此， 中國企業(yè)通過技術合作，專利授權許可，快速切入該領域，避免了國際企業(yè)在傳統(tǒng)技術研發(fā)中的設備折舊優(yōu)勢，并且在這個技術變革過程中我們又有望實現(xiàn)彎道超車。

長江存儲是國家存儲器戰(zhàn)略的主要實施主體，已經(jīng)積累了十年的閃存制造經(jīng)驗和一批關鍵人才，擁有一支經(jīng)驗豐富的國際化管理團隊，包括業(yè)界頂尖領軍人才和專家，并有大量的專業(yè)人才儲備，同時擁有參與全球化競爭的知識產(chǎn)權平臺，具備研發(fā)3D NAND Flash技術的基礎。

2014年長江存儲旗下的武漢新芯和中科院微電子研究所通過產(chǎn)研深度結(jié)合的模式，發(fā)揮雙方優(yōu)勢，展開3D NAND Flash的聯(lián)合技術研發(fā)。經(jīng)過8個月的技術攻關，2015年中，武漢新芯宣布3D NAND Flash研發(fā)取得突破，具有9層結(jié)構的存儲器芯片下線并一次性通過了存儲器功能的電學驗證。目前，武漢新芯3D NAND Flash研發(fā)正在朝著產(chǎn)品化穩(wěn)步推進。此外，武漢新芯與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND Flash技術。

按長江存儲的32層 3D NAND Flash產(chǎn)品規(guī)劃，預計2018年下半年開始量產(chǎn)，2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載，屆時與國際前沿技術縮短到半代的差距，而他們力爭在2020年追上世界領先技術。

盡管中國自主3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲旗下的武漢新芯也通過與國外廠商飛索(Spansion)的合作，切入32層和64層3D NAND技術，但由于門檻較高，仍有很長且很艱巨的路要走，這是一個持久戰(zhàn)，我們需要有清醒的認識和思想準備。

從三星、東芝、海力士、美光的3D NAND Flash研發(fā)經(jīng)歷也可以看出，盡管他們都投入了大量資源，但仍耗費相當長的時間才構建完成，3D NAND Flash技術的發(fā)展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術都需要長時間打磨方可實現(xiàn)。

存儲器市場更新?lián)Q代快，優(yōu)勝劣汰競爭激烈，且極易受到上下游產(chǎn)業(yè)和宏觀經(jīng)濟的影響。從全球來看，存儲器行業(yè)總體呈向上趨勢卻始終處于周期性波動中，呈現(xiàn)出遠高于半導體產(chǎn)業(yè)平均值的巨幅波動，每當大幅獲利之時也就意味著巨額虧損已經(jīng)不遠了，歷史上大起大落的走勢屢見不鮮。同時，存儲器行業(yè)也是一個產(chǎn)值巨大，需要長期巨額投入，但短期看不到回報，需要國家扶持的行業(yè)。

所以中國積極扶持現(xiàn)有存儲領域具備競爭力的龍頭企業(yè)，積累人才基礎，提高產(chǎn)業(yè)深度，加強產(chǎn)業(yè)規(guī)律認知成為發(fā)展必須路徑。中國應在國內(nèi)企業(yè)具備初步產(chǎn)業(yè)競爭力的同時，大力增強企業(yè)的管理能力和整合能力。在沒有并購可能性出現(xiàn)之前，通過市場交換或者資本手段主動尋求國際合作伙伴。

中國面臨發(fā)展存儲器的歷史性機遇，或許是最后的機遇。首先，國際半導體產(chǎn)業(yè)在向中國轉(zhuǎn)移。其次，中國消費市場巨大，有足夠的需求拉動消費。第三，存儲器行業(yè)出現(xiàn)新的增長引擎，如物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、穿戴設備等。第四，新技術的出現(xiàn)，老技術迎來拐點。最后， 國家政策對半導體產(chǎn)業(yè)的大力扶持，是中國產(chǎn)業(yè)界發(fā)展存儲器的良好契機。

希望我國自主存儲器可借助 3D Nand Flash 技術轉(zhuǎn)換機會實現(xiàn)彎道超車，填補我國主流存儲器領域的空白，滿足國內(nèi)外大數(shù)據(jù)應用和物聯(lián)網(wǎng)市場對存儲器產(chǎn)品的巨大需求。