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[導(dǎo)讀]目前,最先進(jìn)的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個(gè)晶體管的芯片。 IBM研究部門的半導(dǎo)體技術(shù)研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱,5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%,效能提高75%。 “這是7納米技術(shù)之外的重大創(chuàng)新成果?!惫渍f,“這是設(shè)計(jì)上的創(chuàng)新,它讓你整合了更多的晶體管。”

編按:IBM最近幾年在硬件領(lǐng)域發(fā)力很猛呀,7nm、5nm接連被其攻克。

據(jù)外媒報(bào)道,IBM及其合作伙伴格羅方德(GlobalFoundries)和三星合作打造出了具有突破性的5納米芯片。

這是一個(gè)了不起的技術(shù)成就,盡管在短期內(nèi)它還無法投入商用。它可以在一個(gè)手指甲大小的芯片上安裝300億個(gè)晶體管。研究人員稱,這個(gè)成就將會(huì)讓規(guī)模達(dá)3300億美元的芯片行業(yè)繼續(xù)按照摩爾定律的規(guī)律進(jìn)行發(fā)展。摩爾定律是1965年英特爾創(chuàng)始人戈登-摩爾(Gordon Moore)提出的一種理論,它預(yù)測(cè)芯片上的晶體管數(shù)量每隔幾年就會(huì)增長一倍。

 

在日本東京舉行的2017年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)上,IBM詳細(xì)介紹了它的這個(gè)研究成果。兩年前,IBM研究人員推出了7納米的節(jié)點(diǎn)測(cè)試芯片,上面安裝有200億個(gè)晶體管。1納米等于1米的十億分之一。5納米只有幾個(gè)原子厚。

目前,最先進(jìn)的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個(gè)晶體管的芯片。

IBM研究部門的半導(dǎo)體技術(shù)研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱,5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%,效能提高75%。

“這是7納米技術(shù)之外的重大創(chuàng)新成果。”哈雷說,“這是設(shè)計(jì)上的創(chuàng)新,它讓你整合了更多的晶體管。”

 

IBM稱,性能的提高將可以加速認(rèn)知計(jì)算能力、物聯(lián)網(wǎng)和其他云端數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的發(fā)展。能耗的節(jié)省也意味著智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備中的電池充一次電使用的時(shí)間將比現(xiàn)在的設(shè)備長一兩倍。

IBM在紐約州立大學(xué)理工學(xué)院納米科學(xué)與工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)了一個(gè)名為Research Alliance的研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目的科學(xué)家們?nèi)〉昧送黄菩缘倪M(jìn)展,他們的晶體管采用疊加的硅納米薄片,而不是標(biāo)準(zhǔn)的FinFET架構(gòu)——7納米芯片的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

IBM還表示,性能大大提高的5納米芯片能將能夠滿足人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)和移動(dòng)設(shè)備的未來需要。

納米薄片代表了一種新的發(fā)展方向。但是哈雷稱,IBM研究部門已對(duì)此研究了10多年。哈雷相信,有了這種技術(shù),芯片行業(yè)將可以每兩三年取得一個(gè)大的進(jìn)步。

“我們將會(huì)繼續(xù)創(chuàng)新,確保按照摩爾定律的規(guī)律來不斷取得新的進(jìn)步。”哈雷說,“這一切證明,只要適當(dāng)?shù)耐顿Y,我們就可以繼續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。5納米芯片就是這樣打造出來的。”

三年前,IBM宣稱它將會(huì)在未來五年內(nèi)投資30億美元用于芯片研發(fā)。5納米芯片就是它的研究成果之一?,F(xiàn)在,IBM研究部門擁有12個(gè)實(shí)驗(yàn)室,逾3000個(gè)研究人員。

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