大家是否經(jīng)常會遇到這種情況：電腦突然死機，但重要數(shù)據(jù)都還沒有儲存?出門在外關鍵時刻想用手機卻發(fā)現(xiàn)早已沒電?據(jù)報道，近日，北京航空航天大學已經(jīng)成功制備了國內首個80納米“萬能儲存器”的核心器件——國內首個80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件(STT-MRAM)。等這項技術應用后，以上這些麻煩事或許都可以迎刃而解了。那么，這款“萬能儲存器”究竟是何方神圣?他有什么神奇之處呢?

儲存器及儲存系統(tǒng)是指什么?

要理解“萬能存儲器”的功能和特點，我們得先了解一些存儲器的常識。我們都知道，存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。千龍網(wǎng)介紹，目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)采用寄存、主存加硬盤的存儲體系結構。與之相對應的、實現(xiàn)這種存儲體系的技術是靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存儲器(DRAM)、閃存(Flash)或硬盤(HDD)。

具體來說，在一臺電腦中，靜態(tài)隨機存儲器對應的是CPU內的存儲器，速度很快，但容量小;動態(tài)隨機存儲器對應的是電腦主板上的內存條;閃存或者硬盤對應的則是電腦里的固態(tài)硬盤或者機械硬盤，其特點與靜態(tài)隨機存儲器剛好相反，它速度慢，但容量大。三者比較而言，前兩者屬于易失性存儲器，一旦斷電數(shù)據(jù)就會丟失，而后者即使斷電數(shù)據(jù)也不丟失。傳統(tǒng)的存儲方式中，數(shù)據(jù)需要分級存儲，同樣在使用時也要分級調取。

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“萬能儲存器”(STT-MRAM)：

自旋轉移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)是一種接近“萬能存儲器”的新型存儲器解決方案，極具應用潛力。它既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度，又具有閃存級別的容量，和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲，具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù)，已被一些國家列為最具應用前景的下一代存儲器之一。

北京航空航天大學與中科院微電子所的聯(lián)合研發(fā)團隊經(jīng)過科研攻關，在STT-MRAM關鍵工藝技術研究上也實現(xiàn)了重要突破，在國內率先成功制備出直徑為80納米的“萬能存儲器”核心器件，該器件性能良好，相關關鍵參數(shù)達到國際領先水平，未來將有望應用于大型數(shù)據(jù)中心，降低功耗，還可用于各類移動設備，提高待機時間。