東芝今日宣布其成功開發(fā)出了全球首款 4-bit 3D 閃存(QLC)，有望帶來更低的制造成本和更高的存儲密度。閃存通過一串帶有電荷的浮動門晶體管來存儲數(shù)據(jù)(賦予“0”或“1”即 1-bit)，這些存儲塊可以二維(平面型 NAND)或三維(3D NAND)堆疊的形式排列，然后用更多電荷值來對應(yīng)存儲更多位元的信息。比如四級(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(3-bit)則為稱為 TLC 。

QLC 進(jìn)一步提升到了 16 級(4-bit)，可將每格劃分出 16 個單元，從而實(shí)現(xiàn)更大的存儲容量。曾幾何時，業(yè)界難以突破 TLC 所需區(qū)分的精確電荷。但最新的進(jìn)展是，東芝已開發(fā)出了 64 層堆疊的 QLC 3D NAND 。

該方法將核心存儲容量提升到了 768 gigabit，較 TLC 的 512 gigabit 有了顯著提升。東芝表示，新 QLC 核心能夠 16 片堆疊，從而實(shí)現(xiàn) 1.5TB 的存儲容量。

據(jù)悉，東芝已于本月早些時候開始向制造商出貨 3D QLC NAND 樣片，以供其評估。至于其何時走向消費(fèi)級市場，目前暫不得而知。