DRAM芯片即動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，所以需要定時刷新。DRAM 分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。

這張照片展示了一堆古董內存。從上到下是：采用三星顆粒的兩根32M 72針DRAM內存，韓國生產。中間是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM內存。最下面是采用英飛凌顆粒的64M PC133 SDRAM內存，葡萄牙生產。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集團的內存品牌。赫克松成立于1989年，是德國英飛凌和日本爾必達的亞太區(qū)總代理，因此采購兩家的DRAM顆粒，到新加坡組裝成內存條，然后銷售到中國大陸，靠價格低廉取勝。不過時至今日，德國英飛凌(奇夢達)和日本爾必達，都已經破產倒閉。只剩下了韓國三星獨霸江湖。

DRAM是動態(tài)隨機存儲器的意思，也就是電腦內存。對于今天的消費者來說，電腦內存只是些綠色的小條條，售價不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長達120年的復雜演進歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象，一個電冰箱大小的計算機存儲器，只能存儲幾K數(shù)據(jù)，售價卻高達幾萬美元。在中國市場，1994年的時候，一根4M內存售價1400元，相當于兩個月工資。1999年臺灣921大地震，在北京中關村，一根64M SDRAM內存條，價格可以在幾天內，從500元暴漲到1600元。

自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年。DRAM內存芯片市場，累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產值($1000,000,000,000美元)。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。無數(shù)名震世界的產業(yè)巨頭轟然倒地。就連開創(chuàng)DRAM產業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1986年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。

從美國到韓國，這個巨大的轉變，背后隱藏著半個世紀以來，那些不為人知的經濟戰(zhàn)爭，足以載入經濟學教科書。把歐美和中國，那些冒牌經濟學家，極力鼓吹的“自由市場經濟”論調，徹底掃進垃圾堆。

——這是一場真正的經濟戰(zhàn)爭，國與國之間的生死較量，慘烈程度遠超液晶戰(zhàn)爭。

1949年，美國哈佛大學實驗室的王安博士，發(fā)明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。

在敘述這場經濟戰(zhàn)爭前，我們先從總體上，了解一下DRAM內存產業(yè)的脈絡和現(xiàn)狀。

電腦存儲器的發(fā)明者，幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統(tǒng)計學家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表機，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統(tǒng)計數(shù)據(jù)。1890年，美國進行第12次人口普查時，便大量采用這種機器。直到1930年代，IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。

1932年，IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek)，發(fā)明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器，稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年，IBM公司購買了中國人王安博士(上海人)，擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發(fā)明了半導體晶體管DRAM內存，并在1968年獲得專利。

然后，1970年美國英特爾，依靠批量生產DRAM大獲成功，逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場后，差點將英特爾逼死。1985年美國發(fā)動經濟戰(zhàn)爭，扶植韓國廠商進攻DRAM產業(yè)，又將日本廠商逼死。1997年美國發(fā)動亞洲金融風暴，差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經濟后，韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的臺灣人沖進DRAM市場，投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機，逼死了德國廠商，并將臺灣DRAM廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017年，不怕死的中國大陸廠商沖了進來，準備投資660億美元，進攻DRAM市場。

有人說，中國人瘋了。

我說沒瘋，因為中國——做為世界第一大電子產品制造國，居然90%以上的內存靠進口，剩下那部分，居然連國產的產量，都控制在韓國企業(yè)手里。

2015年，韓國三星電子投資136億美元(15.6萬億韓元)，在韓國京畿道平澤市，建設12寸晶圓DRAM廠(Fab18)。該項目占地2.89平方公里，總產能預計將達到每月45萬片晶圓，其中3D NAND閃存芯片將占據(jù)一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產。

行業(yè)高度壟斷——韓國三星獨占鰲頭

我們來看看市場情況，就知道中國為什么非要進攻DRAM市場了。半導體存儲器主要應用于臺式電腦、筆記本電腦、手機、平板電腦、固態(tài)硬盤、閃存等領域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導體存儲器銷售總額達772億美元。在全球3352億美元的集成電路產業(yè)中，占據(jù)23%的份額，是極為重要的產業(yè)核心部件。

其中DRAM內存主要用于臺式電腦、筆記本電腦，全球市場規(guī)模約420億美元，目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據(jù)90%以上的份額。從1992年以來，韓國三星在DRAM市場已經連續(xù)25年蟬聯(lián)世界第一，占據(jù)絕對壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動它的地位。

NAND Flash閃存主要用于手機存儲、平板電腦、SSD固態(tài)硬盤、大容量閃存，全球市場規(guī)模約300億美元，壟斷形勢更加嚴重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬于小眾產品，主要用于16M以下的小容量閃存，全球市場規(guī)模只有30億美元，由美國鎂光、韓國三星、臺灣旺宏、華邦、中國大陸的兆易創(chuàng)新等7家企業(yè)瓜分。

行業(yè)高度壟斷造成的結果，是前三大廠商可以輕易操縱產量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。2016年由于全球內存芯片缺貨，三星電子營業(yè)收入達到809億美元，利潤高達270億美元。韓國海力士收入142億美元，美國鎂光收入128億美元。

而中國廠商深受其害。中國是世界最大的電子產品制造國。2016年，光是中國就是生產了3.314億臺電腦，21億臺手機(其中智能手機占15億臺)，1.78億臺平板電腦。與之相對應，2016年，中國進口DRAM產品超過130億美元。中國需要的存儲器芯片9成以上需要進口。國內DRAM產能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。

2015年起，美國鎂光(Micron)，在新加坡Woodlands投資40億美元，擴建Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成后，月產能14萬片晶圓，采用16納米工藝。

有錢都買不到——那就自己造吧

在外資廠商故意操縱下，華為、中興、小米、聯(lián)想等中國手機、PC廠商，經常遇到DRAM缺貨情況。而在中國國內，僅有中芯國際具備少量DRAM產能，根本無法實現(xiàn)進口替代。更嚴重的事例還有：2016年3月，美國政府下令制裁中國中興通訊，禁止美國廠商給中興提供元器件。這種情況簡直讓人不寒而栗。2017年4月，華為手機爆出閃存門事件。事情的根源，實際就是華為手機用的NAND Flash內存嚴重缺貨。

怎么辦呢?有錢可以買吧?2015年7月，中國紫光集團向全球第三大DRAM廠商，美國鎂光科技，提出230億美元的收購要約。結果被鎂光拒絕了，理由是擔心美國政府，會以信息安全方面的考慮，阻撓這項交易。

那就自己造吧。于是從2016年起，中國掀起了一場DRAM產業(yè)投資風暴。紫光集團宣布投資240億美元，在武漢建設國家存儲器基地(武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠)，占地超過1平方公里，2018年一期建成月產能20萬片，預計到2020年建成月產能30萬片，年產值超過100億美元。計劃2030年建成月產能100萬片。福建晉華集團與聯(lián)華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產能6萬片，年產值12億美元。規(guī)劃到2025年四期建成月產能24萬片。合肥長鑫投資494億(72億美元)，2018年建成月產能12.5萬片。

2017年1月，紫光集團宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。

上述四個項目總投資超過660億美元(4450億元人民幣)。確實有點瘋狂。

但是只要認真研究過去半個世紀，世界DRAM產業(yè)的發(fā)展歷史，就會讓人看清一件事情。

——拿錢砸死對手，少砸一點就會死!不相信的都死了!

2016年6月，美國IBM實驗室的研究人員Janusz Nowak，向記者展示新型的磁性儲藏器(STT-MRAM)12寸晶圓。磁性內存既有DRAM和SRAM的高性能，又有閃存的低功耗和低成本，被認為具有競爭下一代內存的潛力，但是還存在很多問題。

2017年6月，韓國三星電子宣布，開始在平澤工廠(Fab18)，批量生產64層堆疊的256Gb第四代TLC V-NAND內存產品。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產能的70%以上，擁有500多項專利。