作為業(yè)界代工行業(yè)的領(lǐng)頭羊，臺(tái)積電之前就已經(jīng)宣布即將投產(chǎn)7nm制程工藝，而現(xiàn)在臺(tái)積電又宣布將會(huì)在臺(tái)灣建設(shè)全新的3nm晶圓廠，開(kāi)始沖擊半導(dǎo)體的物理極限。

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今天晚上臺(tái)積電發(fā)布公告，稱(chēng)將會(huì)在南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)臺(tái)南園區(qū)投資興建3nm制程廠。臺(tái)積電稱(chēng)臺(tái)南市給予臺(tái)積電解決土地、用水、供電、環(huán)保等配套問(wèn)題，同時(shí)該地具有相應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，對(duì)于半導(dǎo)體的發(fā)展十分地有利。

之前臺(tái)積電就稱(chēng)未來(lái)的制程演進(jìn)為10nm至7nm，再到5nm、3nm甚至最后的1nm。

不過(guò)之前Intel就宣稱(chēng)3nm和5nm將會(huì)是制程發(fā)展的一道坎。