IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲器)矽智財(Silicon IP)，來因應(yīng)車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。

力旺這次提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM，是強化版IP，也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產(chǎn)品，而這個新版IP的編寫次數(shù)是原版的數(shù)十倍，同時編寫/抹除(Program/Erase)時間減少將近50%，資料保存期限在150°C高溫操作下，更可以高達(dá)10年之久。

力旺分析，新版的NeoEE與現(xiàn)有邏輯制程和車規(guī)常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容，不需要加光罩即可整合至不同類型的制程平臺，且該IP已經(jīng)通過晶圓廠0.18微米5V制程平臺的驗證，目前正在著手布建將這項技術(shù)轉(zhuǎn)至其他5V平臺。 在應(yīng)用方面，力旺指出，強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應(yīng)用，包括指紋識別芯片、智能卡、NFC、RFID，電源管理IC和微處理器(MCU)等。值得注意的是，這項IP的耐受度(endurance)、高溫操作、生命周期都是依照AEC-Q100的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計，未來也會主打車用市場。 NeoEE 矽智財以標(biāo)準(zhǔn)5V MOS制程平臺為開發(fā)基礎(chǔ)，容易整合至車用電子常使用的高壓(HV)及BCD等制程平臺，從成本和安全的角度來看，NeoEE最適合取代傳統(tǒng)外掛式EEPROM。

一般可編寫存儲器在經(jīng)過重復(fù)編寫后，穩(wěn)定度會遞減，主要是因為重復(fù)編寫會改變存儲器的電子分布，導(dǎo)致編寫和抹除位元間的信號差異愈來愈不明顯，最后會無法分辨。

力旺這次將新IP可以達(dá)到重復(fù)編寫次數(shù)提升至50萬次以上的水準(zhǔn)，主要是透過優(yōu)化存儲器單元架構(gòu)及采用新的編寫/抹除運算法，來減輕重復(fù)編寫造成的存儲器損耗。

經(jīng)過測試，強化版NeoEE經(jīng)歷長達(dá)2,500個小時150°C的高溫后，編寫和抹除位元狀態(tài)穩(wěn)定，并無電流(壓)增加或流失的現(xiàn)象。

再者，NeoEE結(jié)構(gòu)簡單，抹寫次數(shù)可高達(dá)1,000至50萬次以上，最高容量達(dá)16K bits，可操作溫度區(qū)間為-40~150°C，資料保存期限長達(dá)10年。 由于與現(xiàn)有邏輯制程完全相容，NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之制程平臺，可以降低半導(dǎo)體廠導(dǎo)入的成本，并且節(jié)省產(chǎn)品開發(fā)時間。