英特爾(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。 新聞稿指出，規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存，初期生產(chǎn)用于SSD、手機、平板的NAND。

IM Flash自2015年起開始生產(chǎn)3D XPoint。 這款芯片號稱是自1989年NAND快閃芯片推出以來第一個新內(nèi)存類別。 3D XPoint非揮發(fā)性內(nèi)存是英特爾Optane技術(shù)(包括Intel Optane固態(tài)硬盤900P系列，見圖)的基石。 英特爾表示，3D XPoint技術(shù)能在數(shù)奈秒內(nèi)將龐大的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成有用的信息。

嘉實XQ全球贏家報價系統(tǒng)顯示，今年迄今(截至11月13日收盤為止)費城半導(dǎo)體指數(shù)成分股美光、英特爾分別上漲108.03%、26.14%。

barrons.com報導(dǎo)，巴克萊(Barclays)分析師Blayne Curtis 10月12日將美光目標價自40美元調(diào)高至60美元。 Curtis指出，數(shù)據(jù)中心對NAND Flash芯片的強勁需求將導(dǎo)致這項產(chǎn)品到2018年上半年結(jié)束前都處于供給吃緊狀態(tài)。

美光科技2017會計年度第4季(截至2017年8月31日為止)營收年增91%(季增10%)至61.4億美元;非一般公認會計原則(Non-GAAP)每股稀釋盈余報2.02美元、 高于第3季的1.62美元且遠優(yōu)于一年前的0.01美元虧損表現(xiàn)。

美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra 6月29日在財報電話會議上表示，在數(shù)據(jù)中心、行動市場整體趨勢的帶動下、預(yù)估良性產(chǎn)業(yè)需求將可延續(xù)至2018年。

Mehrotra 9月26日透過財報新聞稿重申，良性的產(chǎn)業(yè)基本面預(yù)估將延續(xù)至2018年。