這一年來有關(guān)國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會(huì)推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國(guó)際主流水平。但是放眼整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會(huì)有HBM 3內(nèi)存，2024年則會(huì)有HBM 4內(nèi)存，屆時(shí)帶寬可達(dá)8TB/s，單插槽容量可達(dá)512GB。

對(duì)于HBM內(nèi)存，DIY玩家可以說也是相當(dāng)熟悉了，AMD在2015年的Fury系列顯卡上首次商用第一代HBM技術(shù)，超高的帶寬、超低的面積占用徹底改變了當(dāng)時(shí)的顯卡設(shè)計(jì)，隨后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技術(shù)，不過消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上使用HBM 2技術(shù)還是AMD去年的RX Vega顯卡，但是因?yàn)镠BM 2顯存的成本太過昂貴，RX Vega上實(shí)際上使用了兩組4GB HBM 2，等效位寬比第一代減少一半，盡管頻率大幅提升，所以實(shí)際帶寬反而低了一些。

見識(shí)過HBM的玩家對(duì)該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢?HPE(惠普企業(yè)級(jí))公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn)，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了(DDR is Over)，特別是一些需求高帶寬的場(chǎng)合中。

根據(jù)他分享的一些數(shù)據(jù)，HBM 2內(nèi)存將在2018年大量應(yīng)用，HBM 3將在2020年左右應(yīng)用，改進(jìn)版的HBM 3+技術(shù)在2022年應(yīng)用，2024年則會(huì)有HBM 4內(nèi)存，帶寬及容量也會(huì)逐級(jí)增長(zhǎng)，比如現(xiàn)在的HBM 2內(nèi)存，核心容量可達(dá)8Gb，通過TSV技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)CPU支持64GB HBM2內(nèi)存，每路插槽的帶寬可達(dá)2TB/s，而到了HBM 4時(shí)代，每個(gè)CPU支持的容量可達(dá)512GB，帶寬超過8TB/s。作為對(duì)比的話，目前AMD的EPYC處理器支持8通道DDR4內(nèi)存，雖然最高容量能達(dá)到2TB，但是帶寬不過150GB/s左右，與HBM內(nèi)存相比就差遠(yuǎn)了。

按照他的觀點(diǎn)，在一些需要高帶寬的場(chǎng)合中，HBM技術(shù)無疑遠(yuǎn)勝DDR內(nèi)存，所以他說的DDR內(nèi)存將死在這方面是成立的，比如HPC高性能計(jì)算機(jī)行業(yè)就非常需要HBM。不過話說回來，DDR將死這個(gè)判斷并不適合桌面市場(chǎng)，HBM技術(shù)雖然各種好，但是現(xiàn)在來看成本問題一時(shí)半會(huì)都沒法解決，目前能生產(chǎn)HBM內(nèi)存的廠商只有三星、SK Hynix，美光因?yàn)橛蠬MC技術(shù)，對(duì)HBM并不怎么熱心，所以HBM降低成本的過程將是漫長(zhǎng)的，對(duì)桌面級(jí)玩家來說DDR4很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)都不會(huì)過時(shí)，2020年左右會(huì)開始推DDR5內(nèi)存，所以三五年內(nèi)我們是看不到DDR內(nèi)存被HBM干掉的可能的。