日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。研究人員認(rèn)為，這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對于半導(dǎo)體材料的傳統(tǒng)認(rèn)知，有助于推動相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展。

傳統(tǒng)意義上，金屬和半導(dǎo)體被嚴(yán)格區(qū)分，金屬一般導(dǎo)電性能好，而半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，導(dǎo)電性可受控制。用硅等常見半導(dǎo)體材料制造的晶體管廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

京都大學(xué)研究小組發(fā)現(xiàn)，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，它可以像半導(dǎo)體一樣，通過外部電壓控制電阻。

此外，研究人員還發(fā)現(xiàn)鉑能夠大幅調(diào)節(jié)和控制“自旋軌道耦合”這一效應(yīng)。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運(yùn)動之間的相互作用，在自旋電子學(xué)等研究中扮演關(guān)鍵角色。半導(dǎo)體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應(yīng)。

研究小組稱，這一發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)的固體物理學(xué)常識不符，將有助于電子學(xué)和自旋電子學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。這一研究成果已發(fā)表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。