所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波響應(yīng)，同時(shí)減少前金屬電極與硅的接觸電阻，使得短路電流、開路電壓和填充因子都得到較好的改善，從而提高轉(zhuǎn)換效率。

該結(jié)構(gòu)電池的優(yōu)點(diǎn)

1、降低串聯(lián)電阻，提高填充因子

2、減少載流子Auger復(fù)合，提高表面鈍化效果

3、改善光線短波光譜響應(yīng)，提高短路電流和開路電壓

一 、印刷磷槳

特點(diǎn)：磷漿容易高溫?fù)]發(fā)，選擇性不佳。也可以一次性實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散。

二 、腐蝕出擴(kuò)散掩膜層

特點(diǎn)：阻擋層用氧化硅或氮化硅，刻蝕漿料主要利用釋放的氟化氫來刻蝕。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻擋膜，一次性擴(kuò)散。困難在，漿料的印刷性能，擴(kuò)散均勻性，印刷對(duì)齊。

三、 直接印刷掩膜層

特點(diǎn)：要求掩膜的印刷特性要好，抗氫氟酸要好，容易清除。工藝步驟簡(jiǎn)單。困難在，擴(kuò)散均勻，印刷對(duì)齊。schmid 的腐蝕法SE 電池交鑰匙工程，centrotherm 的激光刻蝕氧化膜SE電池交鑰匙工程。

四、濕法腐蝕重?cái)U(kuò)散層/等離子體刻蝕重?cái)U(kuò)

特點(diǎn)：濕法可用氫氟酸和硝酸體系或強(qiáng)堿，將暴露的重?cái)U(kuò)散層腐蝕成淺擴(kuò)散層。要求耐腐蝕漿料。干法等離子體，用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟離子來刻蝕暴露的中摻雜部分。干法也可用銀漿做掩膜。

五、LDSE

特點(diǎn)：用到激光和電鍍，工序多，工藝復(fù)雜。電鍍有多種選擇。電鍍的銀的導(dǎo)電性約是銀漿的10 倍?？梢怨?jié)省貴金屬。用鎳銅銀，或鎳銅錫結(jié)構(gòu)，可以省掉貴金屬?？梢园褎h線做的很密很細(xì)，或其他優(yōu)化結(jié)構(gòu)。

六、 硅墨技術(shù)

特點(diǎn)：只需增加一臺(tái)印刷機(jī)，就可實(shí)現(xiàn)較大幅度的效率提升。在現(xiàn)有工藝設(shè)備基礎(chǔ)上也容易升級(jí)。