我們知道，霍爾效應是指導體或半導體材料在磁場中產(chǎn)生的電壓，而霍爾傳感器是利用霍爾效應制成的。單獨使用霍爾傳感器時可以檢測磁性物體。然而，當與下圖所示的結(jié)構(gòu)一起使用時，它可以用于檢測所有鐵磁性物體。在這種情況下，如果傳感器附近沒有鐵磁物體(下圖a)，霍爾效應裝置將受到強磁場的影響。當鐵磁性物體接近裝置時，由于鐵磁性物體繞過磁力線，磁場會減弱。

霍爾傳感器的工作取決于作用在磁場中移動的帶電粒子上的Laurent磁力。力作用于帶電粒子運動方向和磁場形成的平面的縱軸上，即洛倫特磁力可以表示為：在f=q(v*b)中，q是電荷;v是速度矢量;b是磁場矢量;而“*”是矢量的叉積。假如電流通過放置在磁場中的摻雜N型半導體。

因為N型半導體中的大多數(shù)電子都是載流子，所以電流方向應該與電子方向相反?？梢钥闯?，負電荷作用在運動粒子上的力將具有上述方向。這個力作用于電子，使它們在物體的底部會聚，從而在物體上產(chǎn)生一個帶正頂部的電壓。如果鐵磁體靠近由半導體和磁鐵組成的器件，磁場強度就會降低，從而降低洛朗磁力，降低半導體兩端的電壓，這是霍爾傳感器感知接近的關鍵。當傳感器設置電壓閾值時，無論是否有物體，都可以進行二元判斷。

半導體(如硅)的使用具有體積小、耐用性好、抗干擾能力強等優(yōu)點。另外，利用半導體材料，可以將放大檢測電路直接集成到傳感器中，減少了傳感器體積，降低了成本。