穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用.其伏安特性見圖，穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。

穩(wěn)壓二極管是應用在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣，穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的反向區(qū)、符號和典型應用電路如圖4-11所示。

(a) 符號　　　　 (b) 伏安特性 　　　　　(c) 應用電路

圖4-11 穩(wěn)壓二極管的伏安特性

穩(wěn)壓管的主要技術參數(shù)。

(1) 穩(wěn)定電壓UZ --在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對應的反向工作電壓。

(2)最大穩(wěn)定工作電流IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流IZmin—IZmax～IZmin是穩(wěn)壓管正常時的電流范圍。若IZIZmax，管子會因過熱而損壞。

(3)動態(tài)電阻rZ—其概念與一般二極管的動態(tài)電阻相同，只不過穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻是從它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。

rz =△UZ /△IZ