CMOS-IC電路

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

CMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級。

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。 寬工作電壓范圍—CMOS 電路的電源電壓一般為1.5~18伏。 高邏輯擺幅—CMOS 電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電? 吹繆梗 綽嘸 ?/FONT>1”為VDD，邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω一般可達(dá)1010Ω。 高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。 低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55 0C ~ 125 0C;塑封的CMOS電路為 – 40 0C ~ 85 0C。

所有的輸入均有刪保護(hù)電路，良好的抗輻照特性等。

你知道為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零嗎? JEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC 制定的CMOS集成電路的最大額定范圍：

輸入輸出信號規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(≥500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。

主要封裝形式

雙列直插

扁平封裝

擴(kuò)展閱讀：上拉電阻原理