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[導(dǎo)讀]低電平有效復(fù)位電路如下 此復(fù)位電路是針對(duì)低電平有效復(fù)位而言的,其中二極管是起著在斷電的情況下能夠很快的將電容兩端的電壓釋放掉,為下次上電復(fù)位準(zhǔn)備。 假設(shè)電容兩端的初始電壓為U0(一般情況下設(shè)為0V),

低電平有效復(fù)位電路如下


此復(fù)位電路是針對(duì)低電平有效復(fù)位而言的,其中二極管是起著在斷電的情況下能夠很快的將電容兩端的電壓釋放掉,為下次上電復(fù)位準(zhǔn)備。

假設(shè)電容兩端的初始電壓為U0(一般情況下設(shè)為0V),T時(shí)刻電容兩端電壓為UT。3.3V電壓設(shè)為VCC。

由流經(jīng)電容的電流I和電容兩端的電壓變化關(guān)系式:I=C*dUt/dt

可以得到:I*dt=C*dU t

兩邊分別積分可以的得到:I*T=∫(0-1)C*dUt;即I*T=C*Ut−C*U0(其中U0=0V),

由VCC=UR+UT 可以得到公式:VCC=R1*(C*UT/T)+UT

假設(shè)對(duì)電容充電至0.9*VCC時(shí)完成復(fù)位,此時(shí)可以得出T=9*RC,T就是所需要的復(fù)位時(shí)間。

一般芯片的復(fù)位時(shí)間是給出的,R,C其中可以自己確定一個(gè)值,然后再求出另外一個(gè)值。

在看看高電平有效復(fù)位時(shí)的RC電路的復(fù)位時(shí)間的計(jì)算過(guò)程:其對(duì)應(yīng)的原理圖如下:


假設(shè)電容兩端的初始電壓為U0(一般情況下設(shè)為0V),T時(shí)刻電容兩端電壓為UT。

電容的充電電流為:

同理可以得到在T時(shí)刻的流經(jīng)電阻的電流值為I=C1*VCC/T 電阻兩端的電壓可定:UR=R1*(C1*UT/T)

所以又:VCC=UR+UC1

在T時(shí)刻時(shí)電容充電為UT ,若UR≥0.9VCC時(shí),高電平復(fù)位有效,則可以有UT=0.1VCC,

故可有:0.9VCC=R1*(C1*0.1*VCC/T),故可以得到:T=(1/9)*R1*C1。

其中T就是所需的復(fù)位時(shí)間,原理圖中的電阻電容確定一個(gè)值,便可以求出另一個(gè)值了。看完全文了嗎?喜歡就一起來(lái)點(diǎn)個(gè) 吧!

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