當(dāng)兩個(gè)物體之間由于摩擦、接觸、分離等過(guò)程而產(chǎn)生電荷積累時(shí),會(huì)在物體表面形成電場(chǎng)。如果在這個(gè)過(guò)程中,物體表面的電荷突然釋放,就會(huì)產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)一個(gè)帶有靜電荷的物體(靜電源)與另一個(gè)物體接觸時(shí),這兩個(gè)具有不同靜電電位的物體會(huì)依據(jù)電荷中和的原則,發(fā)生電荷流動(dòng),傳送足夠的電量以抵消電壓。這個(gè)電量在傳送過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生具有潛在破壞作用的電壓、電流以及電磁場(chǎng),嚴(yán)重時(shí)會(huì)將物體擊毀。
邊緣計(jì)算通過(guò)將數(shù)據(jù)處理從云端下沉到設(shè)備端,正在解決垃圾分類領(lǐng)域的關(guān)鍵痛點(diǎn)。在深圳寶安區(qū)的智慧社區(qū),每棟樓宇都部署了邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)。當(dāng)居民投放垃圾時(shí),攝像頭捕獲的圖像數(shù)據(jù)會(huì)在本地服務(wù)器完成識(shí)別,0.3秒內(nèi)即可判斷垃圾類別,準(zhǔn)確率高達(dá)98.7%。這種"即時(shí)決策"能力,比傳統(tǒng)云端處理模式快了15倍,同時(shí)降低了70%的數(shù)據(jù)傳輸成本。
限幅電路的核心功能是限制信號(hào)的幅度范圍,當(dāng)輸入信號(hào)超出預(yù)設(shè)閾值時(shí),通過(guò)二極管導(dǎo)通或截止特性將信號(hào)幅度限制在特定范圍內(nèi)。根據(jù)工作模式的不同,限幅電路可分為正向限幅、負(fù)向限幅和雙向限幅三種類型。
單片機(jī)作為嵌入式系統(tǒng)的核心,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、智能家居、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。其可靠性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和安全性。然而,單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)常面臨電磁干擾、電源波動(dòng)、環(huán)境溫度變化等挑戰(zhàn),導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、程序跑飛甚至硬件損壞。
二極管作為電子電路中最基礎(chǔ)的元器件之一,其核心特性是單向?qū)щ娦?。這種特性使得電流只能從陽(yáng)極(正極)流向陰極(負(fù)極),而反向時(shí)幾乎不導(dǎo)通。這一特性在整流、信號(hào)調(diào)制、電路保護(hù)等應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
在高速數(shù)字電路和射頻設(shè)計(jì)中,PCB疊層設(shè)計(jì)已成為決定系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。隨著信號(hào)頻率突破GHz門檻,傳統(tǒng)"布線優(yōu)先"的設(shè)計(jì)理念已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。
在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,電磁干擾(EMI)問(wèn)題已成為影響產(chǎn)品可靠性和合規(guī)性的關(guān)鍵因素。隨著電子設(shè)備向高頻化、緊湊化發(fā)展,EMI問(wèn)題愈發(fā)突出。
在現(xiàn)代數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)中,用戶密碼作為訪問(wèn)控制的核心要素,其安全傳輸與存儲(chǔ)直接關(guān)系到企業(yè)數(shù)據(jù)資產(chǎn)和用戶隱私的防護(hù)水平。隨著網(wǎng)絡(luò)攻擊手段的不斷演進(jìn),傳統(tǒng)的密碼管理方法已難以應(yīng)對(duì)新型威脅。
Dec. 19, 2025 ---- PlayNitride (錼創(chuàng)科技)董事會(huì)于12月16日公告表示,將以200萬(wàn)美元收購(gòu)美國(guó)Lumiode Inc.之100%股權(quán)。TrendForce集邦咨詢分析,Lumiode已成立十年,這項(xiàng)并購(gòu)案將有助PlayNitride在擴(kuò)張技術(shù)與專利版圖的同時(shí),獲取更多北美客戶以及銷售渠道,從而提升該公司在近眼顯示與醫(yī)療等非顯示應(yīng)用的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
Dec. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,近期因存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)供不應(yīng)求,帶動(dòng)一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格急速攀升,盡管HBM3e受惠于GPU、ASIC訂單同步上修,價(jià)格也隨之走揚(yáng),但是預(yù)期未來(lái)一年HBM3e和DDR5的平均銷售價(jià)格(ASP)差距仍將明顯收斂。
Dec. 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速電動(dòng)化、智能化進(jìn)程,預(yù)計(jì)將推升全球車用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從2024年的677億美元左右,穩(wěn)健增長(zhǎng)至2029年的近969億美元,2024-2029復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)7.4%。
Dec. 12, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2025年第三季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)持續(xù)受AI高效能運(yùn)算(HPC),和消費(fèi)性電子新品主芯片與周邊IC需求帶動(dòng),以7nm(含)以下先進(jìn)制程生產(chǎn)的高價(jià)晶圓貢獻(xiàn)營(yíng)收最為顯著,加上部分廠商得益于供應(yīng)鏈分化商機(jī),推升前十大晶圓代工廠第三季合計(jì)營(yíng)收季增8.1%,接近451億美元。
Dec. 11, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于預(yù)期2026年第一季存儲(chǔ)器價(jià)格將顯著上漲,全球終端產(chǎn)品面臨艱巨的成本考驗(yàn),智能手機(jī)、筆電產(chǎn)業(yè)上修產(chǎn)品價(jià)格、調(diào)降規(guī)格,銷量展望再度下修已難避免,資源優(yōu)勢(shì)將向少數(shù)龍頭品牌高度集中。
Dec. 10, 2025 ---- 據(jù)新華社報(bào)道,美國(guó)將允許NVIDIA(英偉達(dá))向中國(guó)出口H200芯片,TrendForce集邦咨詢表示,H200效能較H20大幅提升,對(duì)終端客戶具有吸引力,若2026年能順利銷售,預(yù)期中國(guó)CSP(云端服務(wù)業(yè)者)、OEM皆有望積極采購(gòu)。
Dec. 8, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,隨著數(shù)據(jù)中心朝大規(guī)模叢集化發(fā)展,高速互聯(lián)技術(shù)成為決定AI數(shù)據(jù)中心效能上限與規(guī)模化發(fā)展的關(guān)鍵。2025年全球800G以上的光收發(fā)模塊達(dá)2400萬(wàn)支,2026年預(yù)估將會(huì)達(dá)到近6300萬(wàn)組,成長(zhǎng)幅度高達(dá) 2.6 倍。