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[導(dǎo)讀]MSP430 FLASH型單片機的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié),其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其

MSP430 FLASH型單片機的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié),其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根據(jù)容量不同,從0xFFFFh開始,每512字節(jié)為一段進行分配。

FLASH存儲器寫入數(shù)據(jù)時,每一位只能由“1”變成“0”,不能由“0”變成“1“,因此,當我們有數(shù)據(jù)要保存到FLASH存儲器時,要先對目標段進行整段擦除操作,擦除操作使的對應(yīng)段FLASH存儲器變成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址寫入數(shù)據(jù),及擦除一段。

void flash_clr(int *ptr)

{

_DINT(); //關(guān)中斷

FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 開鎖

FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段

}

FLASH存儲器可以按字節(jié)寫入,也可以按字寫入。

// 字節(jié)寫入

void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 開鎖

FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能寫入

*((int8_t *) ptr) = value; // 寫入數(shù)據(jù)

}

// 字寫入

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */

}

FLASH存儲器可以連續(xù)寫入

// 按字節(jié)寫入指定的數(shù)量的數(shù)據(jù)

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

while (len)

{

*ptr++ = *from++;

len--;

}

}

在我們的應(yīng)用程序中可以將要保存的數(shù)據(jù)放在一個自定義的結(jié)構(gòu)中,例如:

typedef struct Setup

{

float gain_ch0; // 0通道增益

float gain_ch1; // 1通道增益

float gain_ch2; // 2通道增益

char init_flag; //初始化標記,恒為0xAA;

}SETUP;

我們定義了一個SETUP結(jié)構(gòu),存放三個AD通道的增益,以及其他要掉電保存的信息,init_flag的作用是標志FLASH的參數(shù)是否已被正確初始化,當我們設(shè)置了FLASH參數(shù)后,將init_flag置一個固定值,例如設(shè)為0xAAh,在程序開始運行時,檢查init_flag,當init_flag的值為0xAAh時,表明參數(shù)已被初始化。

使用FLASH參數(shù):在程序中定義一個SETUP類型的指針變量,通過這個指針訪問FLASH中的參數(shù)。例如:

#define SegmentA 0x1080

float temp;

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

{

temp = p_setup_flash->gain_ch0;

}

修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一樣直接修改,可以將FLASH信息拷貝到RAM中,修改相應(yīng)參數(shù)后,重新保存到FLASH存儲器中,之前要先擦除FLASH存儲區(qū)。例如:

SETUP *p_setup;

SETUP buf; // 臨時變量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷貝到RAM

p_setup = &buf; // 指向RAM

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改參數(shù)

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷貝到FLASH

擴展閱讀:單片機的ROM與RAM

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