MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根據(jù)容量不同，從0xFFFFh開(kāi)始，每512字節(jié)為一段進(jìn)行分配。

FLASH存儲(chǔ)器寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，每一位只能由“1”變成“0”，不能由“0”變成“1“，因此，當(dāng)我們有數(shù)據(jù)要保存到FLASH存儲(chǔ)器時(shí)，要先對(duì)目標(biāo)段進(jìn)行整段擦除操作，擦除操作使的對(duì)應(yīng)段FLASH存儲(chǔ)器變成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址寫(xiě)入數(shù)據(jù)，及擦除一段。

void flash_clr(int *ptr)

{

_DINT(); //關(guān)中斷

FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 開(kāi)鎖

FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段

}

FLASH存儲(chǔ)器可以按字節(jié)寫(xiě)入，也可以按字寫(xiě)入。

// 字節(jié)寫(xiě)入

void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 開(kāi)鎖

FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能寫(xiě)入

*((int8_t *) ptr) = value; // 寫(xiě)入數(shù)據(jù)

}

// 字寫(xiě)入

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */

}

FLASH存儲(chǔ)器可以連續(xù)寫(xiě)入

// 按字節(jié)寫(xiě)入指定的數(shù)量的數(shù)據(jù)

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

while (len)

{

*ptr++ = *from++;

len--;

}

}

在我們的應(yīng)用程序中可以將要保存的數(shù)據(jù)放在一個(gè)自定義的結(jié)構(gòu)中，例如：

typedef struct Setup

{

float gain_ch0; // 0通道增益

float gain_ch1; // 1通道增益

float gain_ch2; // 2通道增益

…

char init_flag; //初始化標(biāo)記，恒為0xAA;

}SETUP;

我們定義了一個(gè)SETUP結(jié)構(gòu)，存放三個(gè)AD通道的增益，以及其他要掉電保存的信息，init_flag的作用是標(biāo)志FLASH的參數(shù)是否已被正確初始化，當(dāng)我們?cè)O(shè)置了FLASH參數(shù)后，將init_flag置一個(gè)固定值，例如設(shè)為0xAAh，在程序開(kāi)始運(yùn)行時(shí)，檢查init_flag，當(dāng)init_flag的值為0xAAh時(shí)，表明參數(shù)已被初始化。

使用FLASH參數(shù)：在程序中定義一個(gè)SETUP類(lèi)型的指針變量，通過(guò)這個(gè)指針訪問(wèn)FLASH中的參數(shù)。例如：

#define SegmentA 0x1080

float temp;

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

{

temp = p_setup_flash->gain_ch0;

}

修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一樣直接修改，可以將FLASH信息拷貝到RAM中，修改相應(yīng)參數(shù)后，重新保存到FLASH存儲(chǔ)器中，之前要先擦除FLASH存儲(chǔ)區(qū)。例如：

SETUP *p_setup;

SETUP buf; // 臨時(shí)變量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷貝到RAM

p_setup = &buf; // 指向RAM

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改參數(shù)

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷貝到FLASH

擴(kuò)展閱讀：單片機(jī)的ROM與RAM