1. 輸入輸出電壓差

輸入輸出電壓差是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù)。在保證輸出電壓穩(wěn)定的前提下，該電壓差越低，線性穩(wěn)壓器的性能越好。比如，5.0V的低壓差線性穩(wěn)壓器，只要輸入5.5V，就能使輸出電壓穩(wěn)定在5.0V。

2. 最大輸出電流

用電設(shè)備的功率不同，要求穩(wěn)壓器輸出的最大電流也不相同。通常，輸出電流越大的穩(wěn)壓器成本越高。為了降低成本，在多只穩(wěn)壓器組成的供電系統(tǒng)中，應(yīng)根據(jù)各部分所需要的電流值選擇適當(dāng)?shù)姆€(wěn)壓器。

3. 負(fù)載調(diào)整率

負(fù)載調(diào)整率是眾多電源設(shè)備一個(gè)非常重要的參數(shù)，它反映了電源抑制負(fù)載干擾的能力，負(fù)載調(diào)整率越低，輸出負(fù)載對(duì)輸出電壓的影響越小，LDO的品質(zhì)就越好。

4. 接地電流

接地電流I_GND是指串聯(lián)調(diào)整管輸出電流為零時(shí)，輸入電源提供的穩(wěn)壓器工作電流。該電流有時(shí)也稱(chēng)為靜態(tài)電流，但是采用PNP晶體管作串聯(lián)調(diào)整元件時(shí)，這種習(xí)慣叫法是不正確的。通常較理想的低壓差線性穩(wěn)壓器的接地電流很小。

圖2：LDO應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源原理。

5. 輸出電容器

典型LDO需要增加外部輸入和輸出電容器。利用較低ESR的大電容器一般可以全面提高電源抑制比(PSRR)、噪聲以及瞬態(tài)性能。

陶瓷電容器通常是首選，因?yàn)樗鼈儍r(jià)格低而且故障模式是斷路，相比之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)會(huì)影響其穩(wěn)定性，陶瓷電容器具有較低的ESR，大概為10 mΩ量級(jí)，而鉭電容器ESR在100 mΩ量級(jí)。另外，許多鉭電容器的ESR隨溫度變化很大，會(huì)對(duì)LDO性能產(chǎn)生不利影響。電容的具體應(yīng)用需要咨詢LDO廠商以確保正確實(shí)施。

6. 封裝

選擇LDO產(chǎn)品時(shí)應(yīng)考慮LDO的散熱，負(fù)載大的LDO應(yīng)盡可能選擇大封裝，這樣有利于LDO性能穩(wěn)定。

LDO在開(kāi)關(guān)電源中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

遵循以上原則，本文選擇哈爾濱圣邦微電子有限公司生產(chǎn)的SG2002和SG2012系列LDO。

應(yīng)用LDO于開(kāi)關(guān)電源的電路如圖2所示，圖中虛線部分是開(kāi)關(guān)電源通常采用的電

路，它可以給LDO提供+6V/1.5A的輸出電壓/電流。該電源應(yīng)用SG2002-5.0XN5/TR、SG2012-3.3XKC3/TR、SG2012-2.5XKC3/TR以及SG2012-1.8XKC3/TR分別生成+5.0V/0.3A、3.3/0.4A、2.5V/0.4A以及1.8V/0.4A電壓/電流。圖中LDO芯片的輸入端和輸出端接有1uF的瓷片電容，以此提高LDO的穩(wěn)定性。在每個(gè)LDO的BP端接上一個(gè)0.01uF的瓷片電容，可以有效地降低LDO的輸出噪聲。

LDO在開(kāi)關(guān)電源中的作用

1. 簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)電源多路輸出一般通過(guò)增加高頻變壓器反饋端來(lái)實(shí)現(xiàn)，這使得開(kāi)關(guān)電源在設(shè)計(jì)過(guò)程中增加了設(shè)計(jì)者的工作量。應(yīng)用LDO作為開(kāi)關(guān)電源的輸出終端，可以極大地簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)，縮短開(kāi)發(fā)周期。

2. 提高開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載調(diào)整率

LDO是來(lái)穩(wěn)定電源電壓的專(zhuān)用芯片，目前有很多公司設(shè)計(jì)的LDO的負(fù)載調(diào)整率非常小。應(yīng)用LDO可以大幅度地降低開(kāi)關(guān)電源負(fù)載調(diào)整率。[!--empirenews.page--]

3. 有效濾除開(kāi)關(guān)電源電磁干擾，減小紋波輸出

開(kāi)關(guān)電源的突出缺點(diǎn)是產(chǎn)生較強(qiáng)的EMI。EMI信號(hào)既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導(dǎo)和輻射會(huì)污染電磁環(huán)境，對(duì)通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當(dāng)，開(kāi)關(guān)電源本身就會(huì)變成一個(gè)干擾源。LDO有較高的電源抑制比，且LDO是低噪聲器件，因此應(yīng)用LDO可以有效地濾除開(kāi)關(guān)電源EMI，減小紋波輸出。

4．為開(kāi)關(guān)電源提供過(guò)流保護(hù)

盡管許多PWM控制芯片本身具有過(guò)流保護(hù)功能，但LDO的過(guò)流保護(hù)功能可以提升開(kāi)關(guān)電源的安全系數(shù)。

試驗(yàn)分析

圖3：開(kāi)關(guān)電源負(fù)載調(diào)整率測(cè)試電路

下面通過(guò)以下兩個(gè)實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證該方案的可行性：

1．測(cè)量負(fù)載調(diào)整率

實(shí)驗(yàn)電路如圖3所示。由電子負(fù)載依次拉出0mA到400mA的電流，在每個(gè)負(fù)載點(diǎn)記錄下開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓。測(cè)試數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)處理，可以得出圖4所示的圖表。該圖充分說(shuō)明，LDO優(yōu)秀的負(fù)載調(diào)整率已經(jīng)被完全移植到開(kāi)關(guān)電源上。換言之，LDO極大地提高了開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載調(diào)整率。

2．輸出紋波的測(cè)量

分別在開(kāi)關(guān)電源的LDO輸入端和輸出端接上示波器，可以得出圖5所示的波形。其中Ch¹是LDO入口處的輸出波形，而Ch²是LDO出口處的輸出波形，即開(kāi)關(guān)電源的最終輸出波形。

由上圖可以看出，LDO有效地濾除了開(kāi)關(guān)電源EMI信號(hào)，相對(duì)于搭建常規(guī)EMI過(guò)濾器來(lái)講，應(yīng)用LDO更簡(jiǎn)單可靠。