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[導讀]系統(tǒng)設計人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn),他們必須在不降低系統(tǒng)元件(如高速資料轉(zhuǎn)換器)性能的情況下讓設計最大程度地實現(xiàn)節(jié)能。設計人員們可能轉(zhuǎn)而採用許多以電池供電的應用(如某種手持終端、軟體無線設備或可攜式超音波掃

系統(tǒng)設計人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn),他們必須在不降低系統(tǒng)元件(如高速資料轉(zhuǎn)換器)性能的情況下讓設計最大程度地實現(xiàn)節(jié)能。設計人員們可能轉(zhuǎn)而採用許多以電池供電的應用(如某種手持終端、軟體無線設備或可攜式超音波掃描器),也可能縮小產(chǎn)品的外形尺寸,因而必須尋求減少發(fā)熱的諸多方法。

極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速資料轉(zhuǎn)換器的電源進行最佳化。資料轉(zhuǎn)換器設計和製程技術的一些最新進展,讓許多新型ADC可直接由開關電源來驅(qū)動,因而達到最大化功效的目的。

系統(tǒng)設計人員們習慣在交換式穩(wěn)壓器和ADC之間使用一些低雜訊、低壓降穩(wěn)壓器(LDO),以清除輸出雜訊和開關頻率突波(請參見圖1)。

圖1:從傳統(tǒng)電源轉(zhuǎn)到最大功效電源。

但是,這種乾凈的電源設計代價是高功耗,因為LDO要求壓降余量來維持正常的執(zhí)行。最低壓降一般為200到500mV,但在一些系統(tǒng)中則可高達1到2V(例如,ADC的3.3V電壓軌產(chǎn)生自一個使用LDO的5V開關電源時)。

就一個要求3.3V電壓軌的資料轉(zhuǎn)換器而言,300mV的LDO壓降增加約10%的ADC功耗。這種效應在資料轉(zhuǎn)換器中更加顯著,因為它具有更小的製程節(jié)點和更低的電源電壓。例如,1.8V時,相同300mV壓降增加約17%(300mV/1.8V)的ADC功耗。因此,將該鏈路的低雜訊LDO去除可產(chǎn)生巨大的節(jié)能效果。去除LDO還可以降低設計板級空間、熱量以及成本。

本文闡述包括超高性能16位元ADC在內(nèi)的一些TI高速ADC可在ADC性能無明顯降低的條件下直接透過交換式穩(wěn)壓器驅(qū)動。為了闡述的方便,我們對兩款不同的資料轉(zhuǎn)換器(一款使用高性能BiCOM技術(ADS5483),另一款使用低功耗CMOS技術(ADS6148),以進行開關電源雜訊的感應性研究。本文的其他部份對所得結(jié)果分別進行介紹。

採用BiCOM技術的ADC

這種製程技術實現(xiàn)寬輸入頻率範圍下的高訊號雜訊比(SNR)和高無突波動態(tài)範圍(SFDR)。BiCOM轉(zhuǎn)換器一般還具有許多晶片去耦電容器和非常不錯的電源抑制比(PSRR)。我們對ADS5483評估板(ADS5483EVM)進行了電源研究,其具有一個使用TPS5420交換式穩(wěn)壓器(Sw_Reg)的板上電源;一個低雜訊LDO(TPS79501);以及一個外部實驗室電源使用選項。

我們使用圖2所示不同結(jié)構(gòu)實施了5次實驗,旨在確定ADS5483透過一個交換式穩(wěn)壓器直接執(zhí)行時出現(xiàn)的性能降低情況。

圖 2:使用ADS5483EVM的5次實驗電源結(jié)構(gòu)。

由于ADS5483類比5V電源到目前為止表現(xiàn)出對電源雜訊的最大感應性,因此該研究忽略了3.3V電源的雜訊。ADS5483產(chǎn)品說明書中列出的PSRR支援這種情況:兩個3.3V電源的PSRR至少高出5V類比電源20dB。

5次實驗的結(jié)構(gòu)變化配置如下:

實驗 1:

一個5V實驗室電源直接連接到5-V類比輸入,同時繞過交換式穩(wěn)壓器(TPS5420)和低雜訊LDO(TPS79501)。使用一個板上LDO(TPS79633)產(chǎn)生ADS5483低感應度3.3V類比及數(shù)位電源的3.3V電壓軌。

實驗2

將一個10V實驗室電源連接到TPS5420降壓穩(wěn)壓器,其使用一個5.3V輸出。這樣可為TPS79501提供一個300mV 壓降,因而產(chǎn)生一個5V電壓軌。

實驗3

使用TPS5420,從10V實驗室電源產(chǎn)生一個5V電壓軌。本實驗中,我們繞過了TPS79501低雜訊LDO。圖3a顯示,如‘實驗2’連接的LDO較好地減少了交換式穩(wěn)壓器的5.3V輸出峰值電壓。但是,圖3b顯示5VVDDA電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。

圖3:實驗2(使用LDO)和實驗3(無LDO)的示波器截圖對比。

實驗 4

本實驗配置方法與‘實驗3’相同,但去除了TPS5420輸出的RC緩衝器電路,其會引起高振鈴和大開關頻率突波。

我們可在圖4中清楚的觀察到RC緩衝器電路的影響。

圖4:5VVDDA電壓軌的電源雜訊。

去除LDO并沒有在鐵氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異,而去除RC緩衝器電路則會導致更大的清潔5VVDDA 電壓軌電壓峰值進入ADC。我們將在稍后詳細研究RC緩衝器電路的影響。

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實驗 5

將一個8Ω功率電阻連接到5V電源,類比如現(xiàn)場可程式設計閘陣列(FPGA)等額外負載。TPS5420必須提供更高的輸出電流,并更努力地驅(qū)動其內(nèi)部開關,因而產(chǎn)生更大的輸出突波。通過重復進行‘實驗2’、‘實驗3’和‘實驗4’可以測試這種配置。

測量結(jié)果

我們利用輸入訊號頻率掃描對比了5個實驗。先使用135MSPS採樣速率然后使用80MSPS採樣速率對叁個ADS5483EVM實施了這種實驗,均沒有觀察到巨大的性能差異。

在使用135MSPS採樣速率情況下,SNR和SFDR的頻率掃描如圖5所示。

圖5;10到130MHz輸入頻率掃描。

在10到130MHz輸入頻率下SNR的最大變化約為0.1dB。SFDR結(jié)果也非常接近;在某些輸入頻率(例如:80MHz)下,可以觀測到下降1至2dB。

5個實驗的FFT曲線圖對比(請參見圖6)顯示雜訊底限或突波振幅沒有出現(xiàn)較大的增加。使用LDO清除開關雜訊使得輸出頻譜看起來幾乎與乾凈5V實驗室電源完全一樣。

圖6:500kHz偏置突波65k點FFT圖。

去除LDO以后,我們觀測到從交換式穩(wěn)壓器產(chǎn)生了兩個突波,其具有一個來自10MHz輸入音調(diào)的約500kHz頻率偏置。RC緩衝器電路降低這些突波振幅約3dB,從約-108dBc降到了約-111dBc。這一值低于ADS5483的平均突波振幅,其顯示ADS5483可在不犧牲SNR或SFDR性能的情況下直接由一個交換式穩(wěn)壓器來驅(qū)動。

RC緩沖器

降壓穩(wěn)壓器輸出能夠以相當高的開關速度對非常大的電壓實施開關作業(yè)。本文中,將TPS5420的輸入電壓軌設定為10V,我們可在輸出端觀測到許多過衝和振鈴,如圖7a所示。為了吸收一些電源電路電抗能量,我們將RC緩衝電路添加到了TPS5420的輸出(請參見圖7b)。該電路提供了一個高頻接地通路,其對過衝起到了一些阻滯作用。圖7a顯示RC緩衝器降低過衝約50%,并且?guī)缀跬耆苏疋?。我選用了R=2.2Ω和C=470pF的元件值。穩(wěn)壓器的開關頻率範圍可以為500kHz到約6MHz,具體取決于製造廠商,因此可能需要我們對R和C值進行調(diào)節(jié)。這種解決方案的代價是帶來一些額外的分流電阻AC功耗(儘管電阻非常小),其降低穩(wěn)壓器總功效不足1%。

圖7:TPS5420交換式穩(wěn)壓器。

我們將10MHz輸入訊號標準化FFT圖繪製出來,以對比‘實驗1’到‘實驗4’(請參見圖8)。

圖8:‘實驗1’到‘實驗4’的標準FFT圖。

TPS5420的突波在約500kHz偏置時清晰可見。緩衝器降低突波振幅約3dB,而低雜訊LDO則完全消除了突波。需要注意的是,RC緩衝器(無LDO)的突波振幅約為-112dBc,遠低于ADS5483平均突波振幅,因此SFDR性能并未降低。

在‘實驗 5‘中,我們將一個8Ω功率電阻添加到5-VVDDA電壓軌,旨在模擬電源的重負載。標準化FFT圖(請參見圖9)并未顯示出很多不同。

圖9:添加 8Ω負載的標準化FFT圖。

去除RC緩衝器以后,突波增加約4.5dB;其仍然遠低于平均突波振幅。

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采用CMOS技術的ADC

當關注如何在保持較佳的SNR和SFDR性能的同時也盡可能地降低功耗時,我們一般利用CMOS技術來開發(fā)高速資料轉(zhuǎn)換器。但是,CMOS轉(zhuǎn)換器的PSRR一般并不如BiCOM ADC的好。ADS6148產(chǎn)品說明書列出了25dB的PSRR,而在類比輸入電源軌上ADS5483的PSRR則為60dB。

ADS6148EVM使用一種板上電源,其由一個交換式穩(wěn)壓器(TPS5420)和一個低雜訊、5V輸出LDO(TPS79501)組成,后面是一些3.3V和1.8V電源軌的低雜訊LDO(請參見圖10)。與使用ADS5483EVM的5個實驗類似,我們使用ADS6148EVM進行了下面另外5個實驗,其注意力只集中在3.3VVDDA電壓軌的雜訊上面。1.8VDVDD電壓軌外置TPS5420實驗顯示對SNR和SFDR性能沒有什么大的影響。

圖10:使用ADS6148EVM的5個實驗電源結(jié)構(gòu)。

實驗6

將一個5V實驗室電源連接到兩個低雜訊LDO(一個使用3.3V輸出,另一個使用1.8V輸出)的輸入。LDO并未對實驗室電源帶來任何有影響的雜訊。

實驗7

將一個10V實驗室電源連接到TPS5420降壓穩(wěn)壓器,其與一個5.3V輸出連接,像‘實驗2’連接ADS5483一樣。TPS79501產(chǎn)生了一個過濾后的5.0V電壓軌,對于3.3V輸出和1.8V輸出LDO提供輸入,如圖10所示。

實驗8

所有3.3VVDDA電壓軌LDO均被加以旁路。TPS5420配置為一個3.3V輸出,該輸出直接連接到3.3VVDDA電壓軌。TPS79601產(chǎn)生1.8VDVDD電壓軌,并透過一個外部5V實驗室電源供電。

實驗9

該實驗配置方法與‘實驗8’相同,但去除了TPS5420輸出的RC緩衝器電路。

實驗10

一個4Ω功率電阻連接到TPS5420的3.3V輸出。這樣做可大幅增加TPS5420的輸出電流,因而類比一個附加負載。另外,像‘實驗5’的ADS5483一樣,它帶來了更高的開關突波和更多的振鈴。

圖11顯示了‘實驗7’、‘實驗8’和‘實驗9’產(chǎn)生的一些3.3VVDDA 輸出波形。有或無LDO的峰值電壓振幅存在一些差異,但RC緩衝器可降低60%的峰值雜訊。

圖11:鐵氧體磁珠后測得3.3VVDDA 電壓軌實驗示波器截圖對比。

測量結(jié)果

利用輸入訊號頻率掃描,透過比較‘實驗6’到‘實驗10’,我們可以研究ADS6148對電源雜訊的感應性。先使用135MSPS然后使用210MSPS的採樣速率(fs)對叁個ADS6148EVM進行數(shù)次實驗。我們并未探測到較大的性能差異。

使用135MSPS採樣速率,SNR和SFDR的頻率掃描如圖12所示。高達300MHz輸入頻率下SNR的最大變化為0.1到0.2dB。但是,一旦移除了RC緩衝器電路,雜訊便極大增加,因而降低SNR約0.5到1dB。

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圖12b顯示了5次ADS6148實驗輸入頻率的SFDR變化。我們并未觀測到較大的性能降低。

圖12:10到300MHz的輸入頻率掃描。

比較圖13所示FFT圖,我們知道無RC緩衝器SNR稍微減少的塬因。去除RC緩衝器電路后,在ADS6148輸出能譜中,我們可看到分佈間隔約為500kHz(TPS5420開關頻率)的眾多小突波,如圖13所示。相較于ADS5483,這些小突波更具主導性,并且因為ADS6148的固有低PSRR SNR大幅降低。但是,圖13所示FFT圖還顯示添加的RC緩衝器電路較好地彌補了這一不足。

圖13:大批突波的65k點FFT圖。

圖14所示標準化FFT圖顯示交換式穩(wěn)壓器的突波高出ADC平均雜訊層約5到6dB。其非常低,以至于其對SFDR減少無法產(chǎn)生影響,但卻明顯地影響了ADC的SNR。

圖14:標準化FFT圖顯示使用RC緩衝器的好處。

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