自2011以來(lái)，行業(yè)持續(xù)低迷，很多光伏企業(yè)將主要精力都放在了提升產(chǎn)品效率，以便使自身更具競(jìng)爭(zhēng)力。

在提升效率過(guò)程中，之于每個(gè)工藝的控制就顯得格外重要。例如，對(duì)于晶體硅電池的核心工藝的PECVD，為了既獲得良好的鈍化又能有更低的反射，很多廠家都推出了雙層氮化硅結(jié)構(gòu);再如，如何嚴(yán)格監(jiān)控清洗完成后自然氧化層的狀態(tài);又如，許多公司工藝部門都希望獲得全波段的NK值以及精確的膜厚等等。

另外，許多著名PECVD廠商也在為如何提升自身的競(jìng)爭(zhēng)力殫精竭慮，例如，著名管式PECVD廠商Centrotherm就推出了Centaurus技術(shù)，平板式PECVD廠商Roth&Rau也依據(jù)平板式鍍膜的優(yōu)勢(shì)而推出了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，他們也無(wú)一例外地采用了多層膜結(jié)構(gòu)。

全光譜橢偏儀自半導(dǎo)體時(shí)代以來(lái)，一直在各行業(yè)普遍運(yùn)用。因?yàn)樗哂懈鞣矫鏌o(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)，幾乎能為任何應(yīng)用提供出色的測(cè)量精度。但晶硅電池不同于LCD、LED、半導(dǎo)體等其它行業(yè)，晶硅電池的襯底需要經(jīng)過(guò)制絨以提高光能的吸收，但是，無(wú)論是多晶酸制絨形成的凹坑，還是單晶堿制絨形成的金字塔，其粒子線度都是在微米級(jí)別，對(duì)入射光具有米氏散射效應(yīng)，一方面大大削弱了信噪比，另一方面又產(chǎn)生了退偏影響。這兩方面的問(wèn)題一直阻礙著全光譜橢偏儀在晶體硅電池的運(yùn)用。系科光電科技(上海)有限公司，(簡(jiǎn)稱系科儀器)在上海SNEC展會(huì)上成功展出的RISE型光譜橢偏儀，就成功地解決了太陽(yáng)能電池檢測(cè)這兩方面的問(wèn)題。

RISE(RotaingIncidenceAngleSpectroscopicEllipsometer)是系科儀器的可變?nèi)肷浣嵌刃腿?strong>光譜橢偏儀，具有卓越的整體設(shè)計(jì)，可在可見(jiàn)光及近紅外波段(其余波段可選)快速采集數(shù)據(jù)，進(jìn)行膜厚、折射率、消光系數(shù)等光學(xué)參量的分析。同時(shí)還能夠分析并不理想的樣品，如：具有米氏散射或瑞利散射的絨面襯底、具有背板反射的透明襯底、膜層厚度極其薄以及極其厚、非均勻樣品等等。無(wú)論是吸收還是透明襯底，雙層膜還是多層膜分析，皆可一鍵完成。

RISE同時(shí)還適用于多種領(lǐng)域的薄膜測(cè)量：晶硅太陽(yáng)能電池、薄膜太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體、微電子、觸摸屏及LED等。