深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源。

SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8 A驅(qū)動(dòng)，因此可在不使用推動(dòng)級(jí)的情況下支持輸出功率在數(shù)百千瓦以?xún)?nèi)的SiC-MOSFET逆變器設(shè)計(jì)。這樣將提高系統(tǒng)效率，客戶(hù)只需完成一個(gè)設(shè)計(jì)即可覆蓋整個(gè)產(chǎn)品陣容中不同額定功率的逆變器。開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)150 kHz，可支持多種應(yīng)用。

SCALE-iDriver SIC1182K SiC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器采用Power Integrations的高速FluxLink™通信技術(shù)，可大幅增強(qiáng)絕緣性能。FluxLink是一項(xiàng)革新性的信號(hào)傳輸技術(shù)，它可取代光耦器和電容性或硅基方案，顯著提高可靠性并提供1200 V加強(qiáng)絕緣。SCALE-iDriver器件還集成了多項(xiàng)對(duì)系統(tǒng)至關(guān)重要的保護(hù)特性，例如退飽和監(jiān)控和電流檢測(cè)讀出、原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)以及高級(jí)有源鉗位(AAC)。此外，保護(hù)電路還可以在5微秒內(nèi)提供安全關(guān)斷，滿足SiC器件的快速保護(hù)需求。SIC1182K SiC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器還具有較強(qiáng)的外部磁場(chǎng)抗擾性能，其封裝可提供≥9.5 mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達(dá)到了IEC60112標(biāo)準(zhǔn)的最高CTI級(jí) —— CTI600。

Power Integrations門(mén)極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)啟了減小尺寸和重量的大門(mén)，并且還可以降低電源系統(tǒng)的損耗。SCALE-iDriver產(chǎn)品系列采用FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計(jì)出外圍元件數(shù)非常少且性能安全的高性?xún)r(jià)比逆變器，確保功能安全、封裝尺寸更小和效率更高。”

SCALE-iDriver技術(shù)可大幅減少所需的外圍元件數(shù)，并降低BOM成本;不需要使用鉭電容或電解電容，只需要一個(gè)副方繞組即可。可以使用雙層PCB來(lái)進(jìn)一步簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)和簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈管理。

Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器符合1000 V以下低壓設(shè)備IEC60664-1絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)以及IEC61800-5-1電機(jī)驅(qū)動(dòng)變頻器標(biāo)準(zhǔn)。新器件即將進(jìn)行UL 1577安全標(biāo)準(zhǔn)的1分鐘內(nèi)5 kVAC瞬間絕緣耐電壓等級(jí)認(rèn)證，VDE0884-10認(rèn)證正在進(jìn)行中