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當(dāng)前位置:首頁(yè) > 電源 > 電源-LED驅(qū)動(dòng)
[導(dǎo)讀]現(xiàn)在大街上隨處可見(jiàn)的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車(chē)燈,處處可見(jiàn)LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個(gè)角落。日前,英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱(chēng),宣布開(kāi)發(fā)出世界上首 個(gè)硅基InGaN紅光LED。

現(xiàn)在大街上隨處可見(jiàn)的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車(chē)燈,處處可見(jiàn)LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個(gè)角落。日前,英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱(chēng),宣布開(kāi)發(fā)出世界上首 個(gè)硅基InGaN紅光LED。

盡管InGaN基藍(lán)光和綠光LED都已商用量產(chǎn),但紅光LED通?;贏lInGaP材料或顏色轉(zhuǎn)換的紅光。對(duì)于AR應(yīng)用來(lái)說(shuō),由于AlInGaP材料的嚴(yán)重邊緣效應(yīng)和顏色轉(zhuǎn)換過(guò)程造成的腔損耗,實(shí)現(xiàn)高效超小間距紅色像素(<5 μm)仍然遙不可及。

與現(xiàn)有的基于AlInGaP的紅光相比,基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴(kuò)展至更大的200 mm或300 mm晶圓以及更好的熱/冷系數(shù),因此具有極大的吸引力。然而,由于銦含量高,在有源區(qū)中引起顯著的應(yīng)變,從而降低了晶體質(zhì)量并產(chǎn)生了許多缺陷,因此,使用InGaN材料實(shí)現(xiàn)紅色光譜發(fā)射具有挑戰(zhàn)性。Plessey通過(guò)使用專(zhuān)有的應(yīng)變?cè)O(shè)計(jì)的有源區(qū)來(lái)制造高效的InGaN Red LED,成功克服了這些挑戰(zhàn)。

Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2時(shí)的波長(zhǎng)為630 nm,半峰全寬為50 nm,熱冷系數(shù)超過(guò)90%,并且在超小像素間距中,其效率高于傳統(tǒng)的AlInGaP和顏色轉(zhuǎn)換的紅光。有了這個(gè)結(jié)果,Plessey現(xiàn)在可以制造天然的藍(lán)、綠和紅InGaN材料,或者使用其GaN-on-Silicon平臺(tái)調(diào)諧400至650 nm的波長(zhǎng)。

Plessey外延和*產(chǎn)品開(kāi)發(fā)總監(jiān)Wei Sin Tan表示:“這是一個(gè)令人振奮的結(jié)果,因?yàn)樗鼮榈统杀局圃斐¢g距和高效的Red InGaN像素提供了一條途徑,將加速M(fèi)icro LED在AR微型顯示器和移動(dòng)/大型顯示器應(yīng)用中的采用。”雖然LED在生活中處處可見(jiàn),但是LED也還有一些不足需要我們的設(shè)計(jì)人員擁有更加專(zhuān)業(yè)的知識(shí)儲(chǔ)備,這樣才能設(shè)計(jì)出更加符合生活所需的產(chǎn)品。

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