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[導(dǎo)讀]摘要:無(wú)論民用或商用領(lǐng)域,功率100 W 以下的交流電源都有著巨大的應(yīng)用需求。由于要兼顧輸入諧波電流、功率因數(shù)、系統(tǒng)能效等問題,采用臨界模式(boundary mode)的AC/DC單級(jí)

摘要:無(wú)論民用或商用領(lǐng)域,功率100 W 以下的交流電源都有著巨大的應(yīng)用需求。由于要兼顧輸入諧波電流、功率因數(shù)、系統(tǒng)能效等問題,采用臨界模式(boundary mode)的AC/DC單級(jí)反激式的電源拓?fù)涑蔀榉浅M昝赖男」β手绷麟娫唇鉀Q方案。它具有高的轉(zhuǎn)換效率,在高端小電源供應(yīng)器中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,特別是在LED照明驅(qū)動(dòng)方面極具優(yōu)勢(shì)。文章主要闡釋小功率(≤100 W)單級(jí)AC/DC轉(zhuǎn)換器的原理,分析其正弦調(diào)制原理及獲得高功率因數(shù)、高能效的原因,并探討了轉(zhuǎn)換器的功能和優(yōu)點(diǎn),最后設(shè)計(jì)了一個(gè)采用仙童FAN6961芯片控制的48 V輸出75 W 的LED驅(qū)動(dòng)電源,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和批量生產(chǎn)證明本方案設(shè)計(jì)合理、產(chǎn)品性能穩(wěn)定、可靠性好,能夠有效提高能效、功率因數(shù),避免建筑物內(nèi)高次諧波電流造成的電源環(huán)境污染。

0 引 言

隨著全球化石油燃料的日益耗盡,人們正在尋找新的替代能源,可再生能源如:風(fēng)能、太陽(yáng)能、生物能源等成為熱點(diǎn)。由于可再生能源的開發(fā)存在諸多經(jīng)濟(jì)、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)等不確定因素,所以各國(guó)政府都在積極發(fā)展LED照明產(chǎn)業(yè),大力推廣LED路燈、隧道燈、球泡燈等照明產(chǎn)品的應(yīng)用研究,倡導(dǎo)產(chǎn)品降低能耗、提高效率、促進(jìn)節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新等工作?;贚ED發(fā)光器件的低壓特性,LED照明的核心部件LED驅(qū)動(dòng)電源的能效、功率因數(shù)、可靠性等性能成為L(zhǎng)ED光電照明產(chǎn)業(yè)能否健康發(fā)展亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。

中國(guó)的國(guó)家推薦性標(biāo)準(zhǔn)GB/T24825-2009"LED模塊用直流或交流電子控制裝置性能要求"中規(guī)定:達(dá)到能效1級(jí)的隔離輸出式LED模塊控制裝置,電源效率應(yīng)不小于88%(P>25 W );電源產(chǎn)品電磁干擾(EMI)性能應(yīng)符合國(guó)家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB17625.1-2003/IEC61000-3-2:2001"電磁兼容限值諧波電流發(fā)射限值"和GB17743-2007"電氣照明和類似設(shè)備的無(wú)線電騷擾特性的限值和測(cè)量方法"的相關(guān)要求。美國(guó)能源之星照明燈具規(guī)范(ENERGY STAR? Program RequirementsProduct Specification for Luminaires)中規(guī)定:商用照明燈具功率因數(shù)必須大于0.9.

LED光源與其它光源的主要區(qū)別在于LED光源需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電源,驅(qū)動(dòng)電源的性能直接關(guān)系到LED光源的性能。在全球提倡"節(jié)能減排"和"綠色電子"的大背景下,如何設(shè)計(jì)一種高功率因數(shù)、低諧波電流的高效LED驅(qū)動(dòng)電源是當(dāng)今廣泛關(guān)注的熱點(diǎn)問題。本文提出一種采用功率因數(shù)校正(PFC)電路,臨界模式(boundary mode)的AC/DC單級(jí)反激式的電源供應(yīng)器拓?fù)洌ㄟ^(guò)正確設(shè)定相關(guān)參數(shù),可在兼顧電源品質(zhì)與成本的情況下,有效提高能效、避免建筑物內(nèi)高次諧波電流造成的電源環(huán)境污染。[!--empirenews.page--]

1 單級(jí)AC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理

AC/DC反激式變換器,是采用臨界電流模式控制的Flyback變換電路,系統(tǒng)原理框圖如圖1.工作原理:開關(guān)管MOS驅(qū)動(dòng)著反激式儲(chǔ)能隔離變壓器T,MOS導(dǎo)通時(shí)變壓器T儲(chǔ)能,關(guān)斷時(shí)變壓器T次級(jí)繞組通過(guò)續(xù)流二極管釋放能量。控制MOS的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間規(guī)律,可實(shí)現(xiàn)輸入電流波形和輸出直流電壓或電流的穩(wěn)定控制,以保障輸入電流的正弦規(guī)律化和輸出直流特性的穩(wěn)定性。

 

 

圖1 AC/DC反激式變換器原理圖

電路拓?fù)淙鐖D2所示。

 

 

圖2 電路拓?fù)鋱D

圖2中:Lm為變壓器初級(jí)勵(lì)磁電感,Lr為漏電感,初級(jí)電感LP=Lm+Lr,次級(jí)電感為L(zhǎng)S

1.1 SPWM 調(diào)制原理

如圖2所示,市電經(jīng)全波整流,按市電半個(gè)周期波形圖分析,則正弦調(diào)制原理分析如圖3:IQ為MOS管在某一時(shí)刻的導(dǎo)通電流,IQ(sin)_PK是MOS的峰值電流,ID為次級(jí)二極管在MOS管關(guān)閉時(shí)刻的續(xù)流,ID(sin)_PK是二極管的峰值電流。

 

 

圖3 SPWM 調(diào)制圖

在調(diào)制波形示意圖里,采用電感電流回零后允許導(dǎo)通下一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖工作方式,以保障每個(gè)開關(guān)周期里T =TON+TOFF 。

如調(diào)制圖3,設(shè)市電輸入正弦波電壓:

Uin(t)=Uin_pksinωt

把市電輸入電壓離散化,則設(shè)第N 個(gè)點(diǎn)時(shí),圖中△ABE所示,MOS導(dǎo)通,電壓與電感勵(lì)磁電流的關(guān)系如下:

 

 

若N 足夠大時(shí),則電流、電壓等效為連續(xù):

 

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由上式可知:

 

 

假設(shè)導(dǎo)通時(shí)間為常數(shù):TON_N = 常數(shù)(const),則上述MOS導(dǎo)通電流各點(diǎn)峰值IQ(sin)_pk組成的包絡(luò)就形成了正弦規(guī)律。

次級(jí)二極管瞬時(shí)峰值電流為ID(t),根據(jù)勵(lì)磁電流引起的磁通不能突變?cè)瓌t可知:ID(t)=n IQ(t)=nIQ(sin)_pksinωt,且等式LP =n2 LS成立,其中參數(shù)n為變壓器的初、次級(jí)匝數(shù)比。

根據(jù)變壓器伏秒平衡原則,在繞組次級(jí)伏秒規(guī)則如下:

 

 

式中,Uo是輸出直流電壓,UF是整流二極管正向?qū)▔航怠?/p>

且根據(jù):T =TON+TOFF

設(shè)在第N 點(diǎn)對(duì)IQ(sin)_pk_N積分可得到其平均值,在圖3中三角形△CED中:

 

 

則市電輸入電流:

 

 

由上幾個(gè)等式可得到:

 

 

設(shè):UR =n (Uo+UF)并定義:UR為反射電壓。

又設(shè)定電壓反射比為:

 

 

則可得輸入電流的表達(dá)式:

 

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由輸入電流表達(dá)式可見:在開關(guān)管按恒定導(dǎo)通時(shí),輸入電流也不是純凈正弦波,失真度THDI與Rvr密切相關(guān),即THDI取決于輸出直流電壓和初次極匝數(shù)比n(這里n=N1/N2 )等。

根據(jù)上述表達(dá)式把輸入電流正弦波特性與Rvr關(guān)系式仿真繪圖,如圖4所示。由仿真輸出圖可知:Rvr數(shù)值越小時(shí),輸入電流就越正弦,失真度就越小;反之則正弦特性越差。

 

 

圖4 正弦電流仿真圖

1.2 高功率因數(shù)輸入的器件優(yōu)化選擇原則

設(shè)定輸入電壓為純凈正弦波,輸入功率因數(shù)和諧波電流關(guān)系如下式:

 

 

式中,θ 為基波電壓與基波電流的相角差;這里可設(shè)cosθ=1 .把以上關(guān)系式按不同的Rvr值仿真,并把PF值和THDI值繪圖,如圖5、圖6所示,由關(guān)系圖可知:Rvr值越小對(duì)功率因數(shù)和諧波電流越好,但是從系統(tǒng)性價(jià)比來(lái)看,Rvr并非越小越好;這是因?yàn)椋河呻娏鞅磉_(dá)式可知,Rvr小就意味著反射電壓UR高,匝數(shù)比N要求也大,也就是說(shuō)MOS關(guān)斷所承受的反峰電壓就高,而相對(duì)于二極管D反向電壓值要求反而小,反之若Rvr值過(guò)大,則PF值和THDI值差,但是對(duì)MOS電壓要求低而二極管耐壓則相對(duì)要求高,過(guò)度要求Rvr值對(duì)系統(tǒng)安全和器件優(yōu)化選擇是不利的,要從優(yōu)化系統(tǒng)性能與成本的角度出發(fā)去選擇N 值。

允許MOS關(guān)斷電壓、二極管反向電壓、匝數(shù)比N三者之間存在直接關(guān)聯(lián),圖7是一個(gè)設(shè)計(jì)案例中得到的三者關(guān)聯(lián)仿真圖(設(shè)計(jì)交流輸入最大265 V,直流輸出50 V)。如圖7所示:按照器件的最佳性價(jià)比,推薦器件的選擇區(qū)域和變壓器的匝數(shù)比為圖中陰影部分是比較理想的。

 

 

圖5 功率因數(shù)仿真曲線圖

 

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圖6 諧波失真度仿真曲線圖

 

 

圖7 功率器件參數(shù)選擇圖

2 單級(jí)AC/DC主要參數(shù)設(shè)計(jì)

在單級(jí)AC/DC 的設(shè)計(jì)中,儲(chǔ)能電感、變壓器規(guī)格、氣隙長(zhǎng)度等參數(shù)的選擇直接影響驅(qū)動(dòng)電源的性能參數(shù),本文通過(guò)理論計(jì)算和經(jīng)驗(yàn)判斷相結(jié)合,得出合適的參數(shù)。

(1)儲(chǔ)能電感值LP確定。

最低頻率取50 kHz,最大導(dǎo)通時(shí)間取10μs.

 

 

(2)變壓器參數(shù)規(guī)格。

DC/DC單級(jí)反激式變壓器的功率容量乘積表達(dá)式:

 

 

或表示為:

 

 

式中,P 為輸入功率,單位W;f 為工作頻率,單位Hz;△B 為工作磁通密度,單位GS;Km為窗口填充系數(shù);δ為電流密度,單位A/cm2;△T 為開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間,單位s。

理論計(jì)算得出來(lái)的AP值還要增加相應(yīng)余量才能作為正確的取值,此時(shí)經(jīng)驗(yàn)判斷在應(yīng)用中比較重要,由于磁材廠家在這方面有非常好的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù),因此,選取變壓器只要在設(shè)計(jì)時(shí)確定電路參數(shù)如頻率、功率等,就可以方便快速地從變壓器廠家的規(guī)格推薦表中選取所需的型號(hào)。

本設(shè)計(jì):輸出功率75 W,最低頻率65 kHz,根據(jù)TDK規(guī)格書,選取PQ3230。

(3)氣隙的確定。

根據(jù)如下儲(chǔ)能公式確定氣隙長(zhǎng)度Lg.

 

 

式中,Ae為170 mm2,Bm取1 950 GS,則計(jì)算出Lg為0.35 mm,但在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)有10%的誤差,可以實(shí)際修正。[!--empirenews.page--]

(4)由氣隙確定變壓器的AL值。

由于磁芯規(guī)格和氣隙已確定,可以通過(guò)給磁芯繞一定的匝數(shù)來(lái)確定AL值。

(5)初級(jí)匝數(shù)n.

根據(jù):Lm =ALn2本設(shè)計(jì):取55匝。

(6)根據(jù)允許的紋波電壓,確定輸出濾波電容:

 

 

本設(shè)計(jì):取3 000μF/100 V.

(7)匝數(shù)比N 取值。

由上面的仿真圖和經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù),兼顧功率器件特別是系統(tǒng)特性指標(biāo)的性價(jià)比,本設(shè)計(jì)案例Rvr可以取值2,根據(jù)反射電壓公式得出N 值為2,Rvr確定后,查曲線可得PF值大約為0.95,THDI≤20% 左右,這對(duì)于小功率的直流供應(yīng)器來(lái)說(shuō)是很好的指標(biāo),優(yōu)于目前國(guó)內(nèi)外各種標(biāo)準(zhǔn)要求。

(8)功率開關(guān)器件MOS與二極管的確定當(dāng)N 值、漏感確定、輸出電壓確定后,反射電壓、漏抗引起的反峰電壓就能確定,則確定MOS、二極管等耐壓值就很容易算出;根據(jù)功率規(guī)格,計(jì)算出電流大小,則確定MOS、二極管電流值就很容易算出。

本例:MOS電壓要求等于輸入市電峰值電壓+反射電壓+漏感引起的反向電壓,則?。?1 A,800 V ,型號(hào):SDA11NS0C3 二極管Diode取:20 A,200 V,型號(hào):MBR20200CTG.

3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

按照以上的參數(shù)設(shè)計(jì),本文提出的LED驅(qū)動(dòng)電源通過(guò)小批量試驗(yàn)和批量生產(chǎn),產(chǎn)品性能穩(wěn)定、可靠性好。典型試驗(yàn)波形如圖8、圖9所示,THDI=16.9%,實(shí)測(cè)PF=0.967,由于采用BCM 模式,出現(xiàn)了電流紋波,但對(duì)電源綜合性能影響不大。產(chǎn)品經(jīng)國(guó)家LED質(zhì)檢中心檢驗(yàn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都優(yōu)于相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求。

其中,電源效率大于90%,達(dá)到能效1級(jí);功率因數(shù)大于0.95,符合能源之星規(guī)范限值要求;諧波電流符合國(guó)家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB17625.1-2003/IEC61000-3-2:

2001限值要求;傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾符合國(guó)家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB17743-2007限值要求。

 

 

圖8 輸入電流的諧波含量

 

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圖9 市電(全橋整流后)與輸入電流

4 結(jié) 論

高性價(jià)比、高效率LED技術(shù)的日新月異,LED照明也得以快速發(fā)展;相應(yīng)的照明工程需要兼顧系統(tǒng)能效、功率因素、諧波電流等多種因素,這就要求其選擇合適的LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案。為此,本文提出采用臨界模式(boundary mode)的AC/DC單級(jí)反激式的電源拓?fù)?,通過(guò)理論計(jì)算和經(jīng)驗(yàn)分析確定合理的變換參數(shù),設(shè)計(jì)了一種高功率因數(shù)、低諧波電流的高效LED驅(qū)動(dòng)電源。該驅(qū)動(dòng)電源同時(shí)還具有主開關(guān)MOS管實(shí)現(xiàn)低電壓零電流導(dǎo)通,整流二極管實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷并避開其負(fù)面的反向恢復(fù)特性,可以顯著提高其工作效率、降低損耗和減小系統(tǒng)電磁干擾。通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和批量生產(chǎn)證明本方案設(shè)計(jì)合理、產(chǎn)品性能穩(wěn)定、可靠性好,有效提高能效、避免建筑物內(nèi)高次諧波電流造成的電源環(huán)境污染,適合批量生產(chǎn),對(duì)于LED照明驅(qū)動(dòng)電源、其它電源供應(yīng)器廠家和電源設(shè)計(jì)者具有很好的參考價(jià)值。

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