配置背光的一種標準方法是使用兩個分立式器件：一個采用DPAK封裝的100VMOSFET，以及一個同樣采用DPAK封裝的100V肖特基二極管。LED背光單元中，肖特基二極管的高漏電流可能會造成一些問題，尤其在較高溫度下。某些客戶曾遇到量產時肖特基二極管出現(xiàn)泄漏故障的問題。改善泄漏故障的一種方法是將肖特基二極管的額定電壓從100V增加到120V，但系統(tǒng)溫度較高時，漏電流依然是個問題。

　　飛兆半導體的設計團隊開發(fā)了一種替代方法，即采用100VBoostPak解決方案。BoostPak系列（圖1）在單封裝內集成兩個器件：一個100VMOSFET和一個150VNP二極管。

　　圖1.BoostPak在單封裝內集成100VMOSFET和150VNP二極管

　　BoostPak系列采用5引腳DPAK單封裝。N溝道MOSFET針對最大程度降低導通電阻并保持出色的開關性能而設計。NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開關性能。相比肖特基二極管，它具有低得多的漏電流，在高溫應用中提供更高的系統(tǒng)可靠性。

　　相比雙分立器件解決方案，BoostPak方案的尺寸更小，可節(jié)省多達20mm2的PCB空間。使用單封裝而非兩個封裝還意味著裝配更方便、系統(tǒng)成本更低。

　　BoostPak系列提供兩種版本，一種額定輸出功率為25W，另一種額定值為40W。表1列出詳細信息。

　　表1.BoostPak裝配規(guī)格

　　更高溫度下的性能更佳

　　我們想要知道NP二極管的漏電流到底有多低，因此我們進行了一些測試。測試結果如圖2所示。

　　圖2：二極管漏電流比較

　　與100V、5A肖特基二極管相比，150V、5ABoostPak系列NP二極管在所有條件下的額定漏電流值低得多，但兩者在高溫下差別極大。隨著溫度上升，肖特基二極管的漏電流以極快的速度增加，而相比之下NP二極管的漏電流依然較低。

　　BoostPak系列的NP二極管采用絕佳的生命周期控制工藝制成，以實現(xiàn)極快速的反向恢復時間和合理的正向壓降（VF（典型值）：0.9V，條件為IF=5A、TJ=100度）

　　圖3：對反向恢復時間進行比較