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[導(dǎo)讀]LED在低電流(僅幾十毫安)下最有效地工作。隨著電流的增加,效率逐漸降低,這種現(xiàn)象被稱為“效率下降”。出于實際原因,LED照明行業(yè)使用的驅(qū)動電流遠遠高于效率最

LED在低電流(僅幾十毫安)下最有效地工作。隨著電流的增加,效率逐漸降低,這種現(xiàn)象被稱為“效率下降”。出于實際原因,LED照明行業(yè)使用的驅(qū)動電流遠遠高于效率最佳的驅(qū)動電流。 LED制造商熱衷于解決這一妥協(xié),但科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)很難確定效率損失的原因。

本文介紹了效率下垂對LED性能的影響,并介紹了兩種流行的理論。

光輸出的交易效率

由于相當(dāng)隨意的原因,高亮度LED產(chǎn)業(yè)已經(jīng)確定了350 mA的正向電流作為其產(chǎn)品的事實標(biāo)準(zhǔn)。這種選擇的原因主要在于它是1mm²芯片通常消耗1 W的驅(qū)動電流(實際耗散通常接近1.25 W)。

在高亮度LED的早期階段,280 mA的正向電流更為典型,而今天許多芯片的正向電流高于350 mA。然而,280 mA,350 mA和更高電流都不能接近為高亮度LED供電的最有效正向電流。由于效率(通常被稱為流明/瓦特或lm/W)引起了業(yè)界的興趣,這似乎令人驚訝。

高亮度LED在幾十毫安時達到峰值效率,此后,它都處于下坡狀態(tài)。圖1顯示了單個LED(加上一對和三個串聯(lián)設(shè)備)的效率和正向電流(ILED)之間的關(guān)系。對于單個器件(在這種情況下是Maxim芯片),效率在75 mA時達到70%,在350 mA時緩慢下降到59%。

 

 

圖1:隨著正向電流的增加,LED效率會緩慢下降。

那么為什么高亮度LED部門不建議芯片以最有效的方式運行?原因是雖然它們運行良好,但LED在低正向電流下不能產(chǎn)生足夠的光。燈芯必須高得多才能產(chǎn)生有用的輸出:350 mA是光輸出,效率和壽命之間的良好折衷(將驅(qū)動電流增加到高于此水平可能會升高結(jié)溫,從而導(dǎo)致LED壽命受損)。

LED制造商正在努力了解效率下降的根本原因,以便他們能夠在首選工作點提高性能。雖然物理限制可能會阻止效率下降完全消除,但如果超過峰值時的下降速度可以降低,則問題將得到部分緩解。

不幸的是,很難確定究竟發(fā)生了什么。

效率下降的原因

科學(xué)家們在研究這個問題時的早期懷疑是,溫度升高會影響效率下降。當(dāng)然,提高LED的結(jié)溫并不是一件好事,因為它縮短了器件的使用壽命。

事實證明,熱量不是罪魁禍?zhǔn)?。圖2顯示了不同散熱器溫度下測得的外量子效率(EQE)和光輸出功率與正向電流的關(guān)系??梢钥闯?,隨著溫度的升高,所有電流的EQE都會降低,并且在所有溫度下都會出現(xiàn)效率下降現(xiàn)象。然而,隨著電流增加(即,效率圖的斜率更陡),峰值效率在較低溫度下更快地降低。

這意味著下垂的幅度實際上隨著溫度的升高而降低。結(jié)果導(dǎo)致科學(xué)家得出結(jié)論,雖然溫度升高會顯著降低整體效率,但溫度不會升高 - 因此,不是效率下降的根本原因。

 

 

圖2:GaInN多量子阱LED在25°至150°C的散熱片溫度下的外量子效率與電流的關(guān)系。

我們需要超越溫度來尋找問題的根源。

不幸的是,雖然溫度已經(jīng)消除,但沒有明確的選擇。然而,有兩個有希望的理論:電子泄漏和俄歇復(fù)合。

由于LED效率穩(wěn)固地存在于量子物理領(lǐng)域,因此理論并不容易理解。例如,最近的一篇學(xué)術(shù)論文states指出,在LED的多量子阱有源區(qū)和電子阻擋層中的較高驅(qū)動電流下發(fā)生的極化場增強了注入電子泄漏到p型GaN層中,導(dǎo)致效率下降。簡而言之,這意味著與較高電流相關(guān)的物理效應(yīng)將電子推出復(fù)合區(qū),因此它們永遠不會有機會遇到空穴并釋放光子。

在一個相關(guān)的理論中,其他人聲稱效率下降的涉及過多的隧穿電流,降低了載流子注入效率.2換句話說,許多電子首先不會進入復(fù)合區(qū)。

另一種方法聲稱理解效率下垂的關(guān)鍵是一個稱為直接俄歇重組的過程。這通常涉及電子和空穴復(fù)合,而不是發(fā)射光子,能量被轉(zhuǎn)移到第三載體。由于該過程涉及三個載流子,因此在較高電流降低效率時常見的高載流子密度下問題會變得更糟。但計算表明,這種現(xiàn)象無法解釋所有觀察到的效率下降。但是,另一組研究人員現(xiàn)在聲稱直接和間接俄歇重組的組合確實使得總和增加了。該過程又復(fù)雜,并且涉及電子 - 聲子耦合和合金散射(或庫侖散射)的帶電缺陷(聲子是LED晶格振動的量子描述)。電子 - 聲子耦合在氮化物半導(dǎo)體中特別強。發(fā)生合金散射是因為InGaN的晶體結(jié)構(gòu)不均勻。將兩種形式的俄歇復(fù)合加在一起近似于實驗觀察到的效率降低。

最小化下垂量

在沒有對效率下垂原因的明確答案的情況下,設(shè)計工程師需要仔細選擇LED和操作參數(shù),以盡量減少其影響。從理論上講,這意味著要特別密切關(guān)注設(shè)備的最大效率和超出該點的效率下垂曲線的梯度。斜率越淺,隨著正向驅(qū)動電流的增加,效率越低。然而,實際上這種信息很難獲得,因為制造商傾向于關(guān)注特定測試電流下的單個(lm/W)數(shù)字,而不是在整個電流范圍內(nèi)提供信息。例如,Cree最近發(fā)布了其XLamp MT-G LED(圖3),該LED具有EasyWhite LED,可滿足35瓦和50瓦鹵素改裝燈的高流明,小尺寸要求。該器件采用一系列LED,總輸出功率為1265流明,效率為75流明/瓦,1.1 A顯示產(chǎn)品。

 

 

圖3:Cree的XLamp MT-G LED。

首爾半導(dǎo)體提供Z-Power系列LED,據(jù)稱適用于一般照明應(yīng)用,定制設(shè)計解決方案和汽車大型LCD背光源。該器件在350 mA的正向電流下輸出100 lm,效率約為110 lm/W.此外,東芝的TL19W01系列高光通量白光LED為設(shè)計工程師提供了另一種照明應(yīng)用選擇。這些器件在350 mA的正向電流下提供110 lm,效率為111 lm/W.

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