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[導(dǎo)讀]如圖所示,讓對(duì)稱(chēng)半橋全波整流電路按照QSW方式工作,在所有負(fù)載范圍內(nèi)電感電流都從正到負(fù)變化,則可實(shí)現(xiàn)原邊開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通之前,電感電流反映到原邊,流過(guò)即將開(kāi)通的開(kāi)關(guān)管的

如圖所示,讓對(duì)稱(chēng)半橋全波整流電路按照QSW方式工作,在所有負(fù)載范圍內(nèi)電感電流都從正到負(fù)變化,則可實(shí)現(xiàn)原邊開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通之前,電感電流反映到原邊,流過(guò)即將開(kāi)通的開(kāi)關(guān)管的體二極管,實(shí)現(xiàn)ZVS。而且在負(fù)載突升時(shí),輸出濾波電感的等效占空比可達(dá)到100%,整個(gè)周期都會(huì)有正壓加在輸出濾波電感上,來(lái)提升電流;負(fù)載突降時(shí),濾波電感的等效占空比可以為0%,整個(gè)周期都會(huì)有負(fù)壓加在電感上,來(lái)降低電流。具有與單通道QSW電路相似的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。應(yīng)用交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù),把兩個(gè)對(duì)稱(chēng)半橋全波整流電路并聯(lián)起來(lái)(如圖10所示),取穩(wěn)態(tài)占空比為0.5,可實(shí)現(xiàn)完全的輸出電流紋波互消作用,大大減小輸出濾波器,在負(fù)載突生或負(fù)載突降時(shí),具有對(duì)稱(chēng)的快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

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圖9 對(duì)稱(chēng)半橋全波整流電路及QSW工作波形

 

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圖10 交錯(cuò)并聯(lián)對(duì)稱(chēng)半橋全波整流電路

圖11為對(duì)稱(chēng)半橋倍流整流拓?fù)?,兩個(gè)輸出濾波電感的電流相位相差180°,與雙通道交錯(cuò)并聯(lián)拓?fù)浯嬖谙嗨频碾姼须娏骷y波互消作用,對(duì)應(yīng)D=0.5時(shí),可以實(shí)現(xiàn)完全的電流紋波互消作用(輸出電流紋波為零)。在應(yīng)用于負(fù)載對(duì)動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求不高的場(chǎng)合時(shí),可以把穩(wěn)態(tài)占空比選定為0.5,從而大大減小輸出濾波器的體積。但對(duì)于數(shù)據(jù)處理器這類(lèi)對(duì)動(dòng)態(tài)響應(yīng)有較高要求的負(fù)載時(shí),不能把0.5這一滿(mǎn)占空比作為穩(wěn)態(tài)占空比。但當(dāng)D偏離0.5時(shí),其紋波互消作用則會(huì)大大削弱,限制了輸出濾波器參數(shù)的取小,降低了功率級(jí)的能量傳輸速度。在這種情況下利用交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù),把兩個(gè)對(duì)稱(chēng)半橋倍流整流拓?fù)溥M(jìn)行交錯(cuò)并聯(lián),如圖12所示,則可實(shí)現(xiàn)與四通道交錯(cuò)并聯(lián)QSW電路相似的紋波互消作用(Dmax<0.5)此時(shí),若把穩(wěn)態(tài)占空比定在0.25,則可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)時(shí)完全的紋波互消作用,輸出濾波電感也可以取得很小,從而在負(fù)載突升(D:0.25→0.5)和突降(D:0.25→0)時(shí),具有對(duì)稱(chēng)的快動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

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圖11 對(duì)稱(chēng)半橋倍流整流拓?fù)?/p>

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圖12 交錯(cuò)并聯(lián)對(duì)稱(chēng)半橋倍流整流拓?fù)浼捌湓聿ㄐ?/p>

值得指出的是,這些交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的拓?fù)涮貏e適合于應(yīng)用磁集成技術(shù)??刹捎枚嗤ǖ离姼屑煞桨讣半姼泻妥儔浩鞯募煞桨竅7][8]。從而大大減小磁性元件所占的總體積,簡(jiǎn)化電路布局、封裝設(shè)計(jì),與分立磁性元件相比,具有顯著的優(yōu)越性。

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