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[導(dǎo)讀] N溝道IGBT的簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)電路N溝道IGBT,Infineon(英飛凌)公司的產(chǎn)品。功率半導(dǎo)體一直是西門(mén)子半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品。西門(mén)子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠

 

N溝道<strong>IGBT</strong>簡(jiǎn)化<strong>等效電路圖</strong>講解

N溝道IGBT的簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)電路

N溝道IGBT,Infineon(英飛凌)公司的產(chǎn)品。功率半導(dǎo)體一直是西門(mén)子半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品。西門(mén)子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的最優(yōu)性能價(jià)格比。IGBT 芯片產(chǎn)量全球第一,當(dāng)今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飛凌生產(chǎn)的。英飛凌不僅生產(chǎn)IGBT芯片,還生產(chǎn)各種封裝形式的IGBT單管、快恢復(fù)二極管等;IGBT模塊、可控硅等歸屬于其100%子公司――EUPEC生產(chǎn)。

種類(lèi):結(jié)型(JFET);溝道類(lèi)型:N溝道;導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型;用途:FM/調(diào)頻;封裝外形:CHIP/小型片狀;材料:N-FET硅N溝道;開(kāi)啟電壓:20(V);夾斷電壓:1(V);低頻跨導(dǎo):5(S);極間電容:1(pF);低頻噪聲系數(shù):1(dB);最大漏極電流:1(mA);最大耗散功率:1(mW)。

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