采用IGBT作開關(guān)元件時(shí)，逆變器電路采用率聯(lián)諧振逆變電路，如圖3-33所示。這種電路的設(shè)計(jì)和工作原理與用SCR作開關(guān)的電路相同。要注意的是，IGBT和VMOS的控制極脈沖寬度必須等于或稍大于諧振電流的流通時(shí)間。

采用IGBT或VMOS器件后，由于它們的導(dǎo)通受柵極控制，因而一般情況下，負(fù)載不短路是不會(huì)發(fā)生連通現(xiàn)象的，因此對(duì)這種器件做的電源主要的防止負(fù)載短路造成過流事故。

電路中，對(duì)VMOS和IGBT的保護(hù)很重要，為了防止過壓采用RC吸收電路和其它過壓保護(hù)電路。半橋電路對(duì)開關(guān)元件的耐壓要求降低。所以常被選用。在逆變器回路中，電感元件很關(guān)鍵，它的大小決定了電流的峰值和平均值的大小，因此在諧振回路中C3一定時(shí)，盡可能選用大 的電感。