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[導讀]意法半導體的6英寸碳化硅晶圓于2017年投產,生產規(guī)模擴大有助于降低芯片成本,提高市場供應量,滿足日益增多的SiC應用的需求(包括更多的太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動器、家用電器和電源適配器)。

意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁沐杰勵Francesco Muggeri介紹了意法半導體的碳化硅產品線,Muggeri表示,意法半導體的碳化硅產品目前在汽車行業(yè)得到了大量應用,目前正在積極向工業(yè)領域進軍。

根據(jù)2019投資者關系日時透露的消息,2018年,意法半導體碳化硅的產值為一億美元,預計2019年全年將翻一倍至兩億。目前意法半導體是全球排名第一的車用碳化硅MOSFET供應商,有超過20個車廠與之合作,量產車型更是達到了10個以上。其中包括歐洲8大車廠,雷諾尼桑以及三菱等日系,現(xiàn)代起亞等韓系車廠都和意法有著廣泛合作。

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也正是如此,意法半導體制定了中期目標,2025年碳化硅市占率超30%。

技術方面,意法半導體正在開發(fā)下一代溝槽式技術(trench technology)的碳化硅,使得器件尺寸不斷縮小。而在產線方面,一方面意法半導體并購了Norstel AB大部分股權,使得公司可以自主生產SiC外延,此外,意法半導體還和Cree-Wolfspeed簽署了多年碳化硅供貨協(xié)議,以保證穩(wěn)定的產能。

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“過去幾年,SiC的基材有些短缺,這也是我們積極部署產線的重要原因。這個月開始,意大利Catania工廠旁就會誕生一個全新的碳化硅工廠。此外,當我們自己來做外延的時候,我們就會變得主動,同時也不需要美國供應商來提供產品,這對中國市場非常重要。”Muggeri說道。

Muggeri強調道,在功率器件領域,意法半導體除了分立元件之外,還提供了標準模塊和解決方案,滿足客戶即插即用的需求。目前這些模塊主要應用在汽車市場,但未來同樣適合大功率的工業(yè)市場中。

關于碳化硅技術的補充

碳化硅(SiC)是一種寬帶隙材料,與硅相比,具有許多優(yōu)點,例如,工作溫度更高,散熱性能得到改善,開關和導通損耗更低。 不過,寬帶隙材料比硅基材料的量產難度更高。

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如圖所示,相比硅技術,碳化硅在功率密度,溫度效應等方面具有顯著優(yōu)勢。

碳化硅的優(yōu)點包括如下:

更高的性能和工作電壓

功率損失極低

本征SiC體二極管(MOSFET)(4象限開關操作)

開關比硅更快,更可靠

在擊穿電壓相同的條件下,芯片尺寸更小

能效更高

導熱性高

更高的工作頻率

開關損耗更低,二極管開關性能出色

更小、更輕量化的系統(tǒng)

更高的工作溫度

工作節(jié)溫最高200°C

散熱要求降低,可用于輕量化系統(tǒng),延長使用壽命

容易驅動

完全兼容標準柵極驅動器

設計更簡單

意法半導體在碳化硅開發(fā)商的歷史

意法半導體從1996年開始從事碳化硅技術研發(fā)。在半導體市場推出一項新技術,質量高、壽命長,成本有競爭力是基本要求。意法半導體戰(zhàn)勝了這種寬帶隙材料的量產挑戰(zhàn),于2004年開始生產其首款SiC二極管。2009年,意法半導體的第一款 SiC MOSFET投產,此后又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極管,以完善原來的650V產品組合。

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