SiC晶體管幾乎適用于任何開關模式電源，它們的優(yōu)越特性使其在汽車電氣系統(tǒng)中更為明顯，比如具有功率因數校正(PFC)的AC-DC電源，DC-DC轉換器，車載充電器(OBC)，逆變器，LiDAR以及用于全電動或自動駕駛車輛的電路。

一些非汽車應用包括電機驅動器，光伏(PV)逆變器，PV充電器，不間斷電源(UPS)以及網絡和服務器電源。所有這些應用都可以從SiC設計帶來的更高效率中受益。

SiC優(yōu)勢

電源設計的工程師已經意識到SiC晶體管確實是新開關模式設計的最佳選擇，雖然它們可能比替代品貴一點，但它們提供了更多優(yōu)勢。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢：

高耐壓。大多數SiC器件都能夠處理650至1700 V的電壓，在高壓應用中，它們可以替代某些IGBT。

具有可處理超過100 A的版本的高電流能力。

切換速度更快，速度高達1 MHz。

超低導通電阻，最高數百毫歐。

更好的導熱性，這意味著對于給定的功耗，溫度上升最小。

更低的關斷損耗，更低的導通損耗和更低的柵極電荷。

較小的物理尺寸。

符合AEC-Q101的汽車級認證。

典型設備

圖1：安森美半導體的SiC FET采用TO-247封裝。

安森美的SiC MOSFET是安森美半導體的NTHl080N120SC1(圖1)。主要功能包括：

最大漏源電壓為1200 V.

最大連續(xù)電流為31至44 A，具體取決于環(huán)境溫度。

典型導通電阻<110mΩ。

建議柵極 - 源極電壓為-5至+20 V.

功耗為58至348 W，具體取決于環(huán)境溫度。

TO-247包裝。

使用SiC進行設計

使用SiC晶體管進行設計與使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT進行設計不同。主要區(qū)別與門驅動的要求有關。使用標準增強型MOSFET時，您可以放心，當超過柵極閾值電壓(VTH)時，MOSFET完全導通。 VTH的范圍從幾伏到最大約10V。

對于驅動SiC MOSFET，柵極 - 源極閾值VTH必須在20 V范圍內，以確保在源極和漏極之間建立良好的電流通道。但那還不是全部。要關閉器件，柵極上需要-3到-10 V的負電壓。早期，SiC的驅動設計都采用分立元件搭配，現在已經變成了集成IC。

安森美半導體的NCP51705就是一款通用驅動IC，可搭配安森美或其他品牌的SiC器件，該驅動器提供分離的輸出級，可實現獨立的開啟和關閉調節(jié)。源和接收能力為6 A。

NCP51705還提供5V的電源軌，可以為光隔離器等外部電路供電。IC的保護功能包括了偏置的欠壓鎖定監(jiān)控和基于驅動器結溫的熱關斷功能。

汽車設計實例

電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)需要高壓交流轉直流和輔助電池的OBC。圖2顯示了這種系統(tǒng)的簡化圖。標準橋式整流器將交流電轉換為直流電壓，經過功率因數校正。全橋DC-DC轉換器為諧振反激式轉換器提供輸入，該轉換器將電壓調節(jié)至更高水平，并將其整流為為主電池充電的最終直流電。當前的電池電壓在300至900V范圍內，單獨的電路產生低電壓(12 V或48 V)，為用于所有其他電氣和電子組件的電池充電，例如車輛照明和信息娛樂。

圖2：這種簡化的板載充電器利用SiC器件來提高效率，可同時處理高電壓和電流。

驅動主車輛電機的EV中的直流 - 交流逆變器也是SiC的應用領域?，F在在許多設計使用IGBT，如圖3所示，也可以用SiC器件代替。

3. EV電機驅動器逆變器中使用的IGBT現在可以用SiC MOSFET取代。

PFC和DC-DC轉換器是SiC應用的主要目標，因為它們具有高電壓，高電流和高速開關能力。