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[導讀]TPS61040/41內(nèi)部MOSFET開關Q1導通,并逐步增加了從VIN通過L1、Q1和內(nèi)部電流檢測電阻RSENSE的電流量。TPS61040/41的FB(反饋)腳檢測輸出電壓,只要反饋電壓低于參考電壓(典型

TPS61040/41內(nèi)部MOSFET開關Q1導通,并逐步增加了從VIN通過L1、Q1和內(nèi)部電流檢測電阻RSENSE的電流量。TPS61040/41的FB(反饋)腳檢測輸出電壓,只要反饋電壓低于參考電壓(典型值1.233V),則內(nèi)部Q1導通,電流增大;當電感L1電流達到內(nèi)部設置峰值電流ILM(TPS61040為400mA或TPS61041為250mA)時Q1截止,另外為應付極端條件以限制最大導通時間,在最大導通時間超過6μs(典型值)時Q1也會截止。TPS61040/41外接元件決定了Q1的關斷時間。

為了維持運行以及設定Q1的關斷時間,TPS61040/41內(nèi)部控制器必須用Q1和RSENSE監(jiān)測通過L1的電流。當關斷Q1時,流過L1的電流中斷會升高電感上的電壓,使外部的肖特基二極管D1正偏并導通,D1作續(xù)流二極管保證電流輸出,為輸出電容器C1充電至一個較高電壓,這個電壓高于單獨的輸入電壓VIN.開關管關斷至少要保持400ns(典型值),或者反饋電壓又低于參考電壓時才導通。輸入電壓、L1以及通過RSENSE的預設峰值電流都會影響Q1的導通時間。如下圖所示。

 

一款PS61040典型應用電路圖
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