圖3

變壓器原邊的開關管S1和S2各采用IRF32055只并聯(lián)，之所以并聯(lián)，主要是因為在逆變電源接入負載時，變壓器原邊的電流相對較大，并聯(lián)可以分流，可有效地減少開關管的功耗，不至于造成損壞。

PWM控制電路芯片SG3524，是一種電壓型開關電源集成控制器,具有輸出限流,開關頻率可調(diào),誤差放大,脈寬調(diào)制比較器和關斷電路,其產(chǎn)生PWM方波所需的外圍線路很簡單。當腳11與腳14并聯(lián)使用時,輸出脈沖的占空比為0～95%,脈沖頻率等于振蕩器頻率的1/2。當腳10(關斷端)加高電平時,可實現(xiàn)對輸出脈沖的封鎖,與外電路適當連接,則可以實現(xiàn)欠壓、過流保護功能。利用SG3524內(nèi)部自帶的運算放大器調(diào)節(jié)其輸出的驅(qū)動波形的占空比D，使D>50%，然后經(jīng)過CD4011反向后，得到對管的驅(qū)動波形的D<50%，這樣可以保證兩組開關管驅(qū)動時，有共同的死區(qū)時間。3DC/AC變換

如圖3所示，DC/AC變換采用單相輸出，全橋逆變形式，為減小逆變電源的體積，降低成本，輸出使用工頻LC濾波。由4個IRF740構(gòu)成橋式逆變電路，IRF740最高耐壓400V，電流10A，功耗125W，利用半橋驅(qū)動器IR2110提供驅(qū)動信號，其輸入波形由SG3

524提供，同理可調(diào)節(jié)該SG3524的輸出驅(qū)動波形的D<50%，保證逆變的驅(qū)動方波有共同的死區(qū)時間。

圖4

IR2110是IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路，可以實現(xiàn)

對MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動，同時還具有快速完整的保護功能，因而它可以提高控制系統(tǒng)的可靠性，減少電路的復雜程度。

圖中HIN和LIN為逆變橋中同一橋臂上下兩個功率MOS的驅(qū)動脈沖信號輸入端。SD為保護信號輸入端，當該腳接高電平時，IR2110的輸出信號全被封鎖，其對應的輸出端恒為低電平;而當該腳接低電平時，IR2110的輸出信號跟隨HIN和LIN而變化，在實際電路里，該端接用戶的保護電路的輸出。HO和LO是兩路驅(qū)動信號輸出端，驅(qū)動同一橋臂的MOSFET。

IR2110的自舉電容選擇不好，容易造成芯片損壞或不能正常工作。VB和VS之間的電容為自舉電容。自舉電容電壓達到8.3V以上，才能夠正常工作，要么采用小容量電容，以提高充電電壓，要么直接在VB和VS之間提供10～20V的隔離電源，本電路采用了1μF的自舉電容。

欠壓保護電路如圖5所示，它監(jiān)測蓄電池的電壓狀況，如果蓄電池電壓低于預設的10.8V，保護電路開始工作，使控制器SG3524的腳10關斷端輸出高電平，停止驅(qū)動信號輸出。

圖5中運算放大器的正向輸入端的電壓由R1和R3分壓得到，而反向輸入端的電壓由穩(wěn)壓管箝位在+7.5V，當蓄電池的電壓下降超過預定值后，運算放大器開始工作，輸出跳轉(zhuǎn)為負，LED燈亮，同時三級管V截止，向SG3524的SD端輸出高電平，封鎖IR2110的輸出驅(qū)動信號。

過流保護電路如圖6所示，它監(jiān)測輸出電流狀況，預設為1.5A。方波逆變器的輸出電流經(jīng)過采樣進入運算放大器的反向輸入端，當輸出電流大于1.5A后，運算放大器的輸出端跳轉(zhuǎn)為負，經(jīng)過CD4011組成的RS觸發(fā)器后，使三級管V1基級的信號為低電平，三級管截止，向IR2011的SD1端輸出高電平，達到保護的目的。

調(diào)試過程遇到的一個較為重要的問題是關于IR2110的自舉電容的選擇。IR2110的上管驅(qū)動是采用外部自舉電容上電，這就使得驅(qū)動電源的路數(shù)大大減少，但同時也對VB和VC之間的自舉電容的選擇也有一定的要求。經(jīng)過試驗后，最終采用1μF的電解電容，可以有效地滿足自舉電壓的要求。