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[導(dǎo)讀]本文介紹了一款高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖。本電路采用Chartered0.35靘CMOS工藝實(shí)現(xiàn),采用3.3V電源電壓,在-40~100℃范圍內(nèi),達(dá)到低于6ppm/℃的溫度系數(shù),在1kHz和27℃下,電源抑制比達(dá)到82dB.

如下圖所示為一款高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖。本電路采用Chartered0.35靘CMOS工藝實(shí)現(xiàn),采用3.3V電源電壓,在-40~100℃范圍內(nèi),達(dá)到低于6ppm/℃的溫度系數(shù),在1kHz和27℃下,電源抑制比達(dá)到82dB.

需要指出的是,為了避免零電流工作狀態(tài),保證偏置基準(zhǔn)源進(jìn)入正常工作,增加了自啟動電路。啟動電路的工作 過程為:在剛啟動時(shí),MP7、MN5導(dǎo)通,對電容C1分別 實(shí)現(xiàn)充、放電。隨著電源電壓的逐步建立,電容C1上電位逐漸提高,使MP7逐漸脫離飽和趨于截止,直至自啟動電路關(guān)閉。在啟動電路中,各MOS管寬長比的選擇要保證啟動過程的順利進(jìn)行,同時(shí)還應(yīng)注意啟動過程瞬間電流不能過大,啟動之后,啟動電路不對電流基準(zhǔn)源電路穩(wěn)態(tài)工作造成任何影響。

 

 帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖
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