臺(tái)積電總裁魏哲家在昨(18)日的財(cái)報(bào)會(huì)議中指出,預(yù)計(jì)5nm制程一開(kāi)始起步將會(huì)比7nm慢一些些,但由于極紫外光(EUV)技術(shù)成熟度會(huì)加快,讓很多芯片能更有效率,因此看好5nm整體放量速度將會(huì)比7nm要快,并成為臺(tái)積電下一波成長(zhǎng)主力。
在北京、成都、上海、深圳和杭州各舉行為期一天的活動(dòng),RISC-V基金會(huì)成員將講解和討論RISC-V的最新應(yīng)用及進(jìn)展
4月18日,13時(shí)01分在臺(tái)灣花蓮縣附近發(fā)生6.1級(jí)左右地震。臺(tái)積電發(fā)言人Elizabeth Sun稱目前為止地震還沒(méi)有造成影響。
隨著臺(tái)積電成功開(kāi)發(fā)6納米制程,臺(tái)積電與三星電子將更激烈爭(zhēng)奪半導(dǎo)體代工第一的位置,但韓媒分析指出,若兩公司持續(xù)以數(shù)字為中心打宣傳戰(zhàn)的話,未來(lái)只會(huì)越來(lái)越艱辛。
而6nm EUV工藝主要為2020年的A14等芯片做好準(zhǔn)備。同時(shí),臺(tái)積電也5nm制程已經(jīng)完成研發(fā),據(jù)悉,6nm和5nm都有可能應(yīng)用于蘋果2020年iPhone的A14系列芯片中,主要看哪一個(gè)方案更優(yōu)。
據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,昨日臺(tái)積電2018年年報(bào)出爐,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音和總裁魏哲家首度聯(lián)名,在致股東報(bào)告書中表示,臺(tái)積電先進(jìn)制程7納米領(lǐng)先對(duì)手至少一年,并強(qiáng)調(diào)5G和人工智能(AI)將驅(qū)動(dòng)報(bào)道體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)。
臺(tái)積電18日召開(kāi)財(cái)報(bào)會(huì),公布第1季營(yíng)收2187.4億元(新臺(tái)幣,下同),較去年同期減少11.8%。稅后純益613.94億元、每股盈余2.37元,均較去年同期減少31.6%。
據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,晶圓代工廠臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀退休金曝光,據(jù)臺(tái)積電年報(bào)資料顯示,實(shí)際支付張忠謀退休金7617萬(wàn)1995元新臺(tái)幣(下同)(約合1654萬(wàn)人民幣)。
英特爾剛剛發(fā)布了第八代博銳vPro移動(dòng)處理器——i7-8665U和i5-8365U,主要面向商業(yè)客戶。本次產(chǎn)品線的更新主要提升了移動(dòng)平臺(tái)的網(wǎng)絡(luò)連接性能和安全性,首次支持WiFi 6標(biāo)準(zhǔn),并引入了全新Intel Hardware Shield安全技術(shù)。
“人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的不斷演變,影響著我們的生活、工作的方方面面,這對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)發(fā)展的黃金時(shí)期,也是一個(gè)巨大的機(jī)會(huì)點(diǎn)?!睉?yīng)用材料公司總裁兼CEO Gary Dickerson指出,“人工智能和大數(shù)據(jù)正在驅(qū)動(dòng)硬件的開(kāi)發(fā)與投資的復(fù)興,很多行業(yè)參與者都投注在不同的技術(shù)上?!?/p>
ASML第一季度凈利潤(rùn)為3.55億歐元(約4.013億美元),低于去年同期的5.81億歐元,同比下降約39%;銷售額從去年同期的22.9億歐元降至22.3億歐元,毛利率為41.6%。
半導(dǎo)體制程工藝對(duì)各類芯片來(lái)說(shuō)意義非凡,在一般情況下更先進(jìn)、密度更高的制程工藝可以讓芯片獲得更好的能耗比,同時(shí)發(fā)熱量等一些物理特性也會(huì)得到改善。
4月16日,在臺(tái)灣嵌入式論壇上,AMD宣布推出新款A(yù)MD銳龍嵌入式R1000 片上系統(tǒng)(SoC),采用Zen架構(gòu),雙核四線程設(shè)計(jì),每瓦性能較上代AMD R系列SoC 提升3倍。
昨天,AMD CEO蘇姿豐在推特上確認(rèn)索尼將采用 AMD Zen 2處理器+Navi顯卡。
今天,臺(tái)積電提交公告表示,6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢(shì),并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺(tái)積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%。