目前,世界內(nèi)存芯片和邏輯電路生產(chǎn)工藝普遍還處于30納米和42納米。近日,日本東芝公司表示,他們突破了目前芯片生產(chǎn)工藝的瓶頸,通過使用鍺元素生產(chǎn)出了厚度僅為16納米金屬絕緣半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,并且將來的產(chǎn)品可能會(huì)更薄。
很早以前就人們就已經(jīng)知道,鍺元素具有制造微小設(shè)備的潛力,但是使用鍺元素生產(chǎn)芯片的難度比使用硅元素要大的多,其原因是因?yàn)殒N是一種金屬元素,用鍺元素生產(chǎn)的芯片很難限制其電流處理能力。
不過,東芝似乎已經(jīng)克服了這個(gè)問題,新的芯片生產(chǎn)工藝是將很薄的一層鍶元素與一層鍺元素結(jié)合成夾層結(jié)構(gòu)(見下圖),兩種材料之間距離小于1納米,使用這種鍶鍺復(fù)合材料最終生產(chǎn)出了16納米的芯片。東芝公司計(jì)劃在本周晚些時(shí)候召開的2009京都大規(guī)模集成電路研討會(huì)上展示這個(gè)工藝的其它一些詳細(xì)細(xì)節(jié)。
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