德國研究機構(gòu)ForschungszentrumRossendorf的科學家表示，已經(jīng)成功制造出超導鍺晶體(superconductinggermaniumcrystals)，并因此向催生速度更快的半導體元件邁進一步。

這個由ThomasHerrmannsdorfer所領軍的研究團隊是將鍺晶體與高濃度的雜質(zhì)原子(impurityatoms)摻雜在一起；該雜質(zhì)原子是每100個鍺原子加入6個鎵(gallium)原子。由于這種高濃度雜質(zhì)原子會導致晶體結(jié)構(gòu)的強烈變形，接下來必須用強烈的閃光來修復晶格；而研究人員表示，那些修復后的晶體會出現(xiàn)像是非常高關鍵度磁場(veryhighcriticalmagneticfield)那樣的超導電性。

雖然該種超導電效應只能在0.5K的超低溫度下才能檢驗到，卻是鍺元素第一次被賦予超導電性。在兩年前，有一個法國的研究團隊曾用硅成功做過類似的實驗，但為了尋找制造速度更快晶片的方法，鍺最近吸引不少科學家的注意。

不過研究人員坦承，這種超導體鍺距離實際應用還有很長一段距離；“但我們有可能提高該種超導體的溫度?！毖芯繄F隊成員VitonHeera表示。因為如此，也許有可能制造出切換時間超短的氦冷卻鍺閘極(helium-cooledgermaniumgates)。

至于這種超導體在半導體制造上的實際應用，恐怕近期之內(nèi)無法實現(xiàn)?！斑@是基礎性的研究，”Heera表示：“我們距離真正的應用還很遠?！?br />