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海力士：無(wú)錫封測(cè)廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

時(shí)間：2010-06-21 09:22:00

關(guān)鍵字： DRAM 海力士 GB NI

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[導(dǎo)讀]全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無(wú)錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無(wú)錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱(chēng)為「高科技半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司(HitechSemiconductorPackage

全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無(wú)錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無(wú)錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱(chēng)為「高科技半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司(HitechSemiconductorPackageandTest)」。

Hynix指出，該座廠房每個(gè)月可生產(chǎn)1億顆1GBDRAM，其中45%由Hynix持有，其余則歸無(wú)錫太極實(shí)業(yè)所有。Hynix并表示，上述廠房共花費(fèi)了3.5億美元興建，將為Hynix在無(wú)錫另一座廠房制造的芯片進(jìn)行封裝測(cè)試的業(yè)務(wù)。

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