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[導(dǎo)讀]據(jù)了解,日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。據(jù)悉,爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)

據(jù)了解,日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。

據(jù)悉,爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達(dá)與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達(dá)互動密切,爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書,經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。

官員透露,爾必達(dá)來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當(dāng)成熟,已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中,研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器(DRAM),而是切入高階的NANDFlash產(chǎn)品的研發(fā)。

NANDFlash技術(shù)領(lǐng)先DRAM一個世代,目前全球前五大制造廠被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率,臺灣廠商在這一塊缺席,原本在NANDFlash技術(shù)上相對薄弱的爾必達(dá),在買下飛索(Spansion)NAND技術(shù)資產(chǎn)后,規(guī)劃在明年投入NANDFlash量產(chǎn)。

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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。

關(guān)鍵字: 存儲 三星 NAND DRAM

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關(guān)鍵字: SSD NAND PCIE 固態(tài)硬盤

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關(guān)鍵字: Flash 存儲器 嵌入式系統(tǒng)

在如今大數(shù)據(jù)時代,NAND閃存無疑是數(shù)據(jù)存儲的奠基者。不管是手機(jī)、電腦、家電還是汽車、安防等行業(yè),都少不了NAND閃存的身影,其重要性可見一斑。

關(guān)鍵字: NAND 閃存 密度

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關(guān)鍵字: 蛋白質(zhì) 研發(fā)中心

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關(guān)鍵字: NAND NAND Flash 三星 SK海力士

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