高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新技術(shù)。

RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術(shù)– rGaN-HV? -- 可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（1 至50 KW）中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD 推出的 rGaN-HV 技術(shù)可為器件實(shí)現(xiàn)高達(dá)900 伏特的擊穿電壓，具有高峰值電流功能并可在氮化鎵電源開關(guān)和二極管之間進(jìn)行超快速切換。這項(xiàng)新技術(shù)可補(bǔ)充 RFMD 的 GaN1工藝技術(shù)，而GaN1工藝技術(shù)是專為高功率射頻應(yīng)用而優(yōu)化并提供超過 400 伏特的高擊穿電壓；RFMD 的 GaN2 工藝技術(shù)專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)并提供超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會(huì)在北卡羅來(lái)納州、格林斯伯勒的晶圓廠 （fab） 為客戶制造這些分立式功率部件，并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術(shù)以使其能定制功率器件解決方案。

RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官Bob Bruggeworth 表示：“全球?qū)νㄟ^提高能源轉(zhuǎn)換效率來(lái)節(jié)省能源的需求為基于RFMD 氮化鎵功率工藝技術(shù)的高性能功率器件創(chuàng)造了巨大的機(jī)會(huì)。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝技術(shù)將會(huì)擴(kuò)大我們?cè)诟唠妷汗β拾雽?dǎo)體市場(chǎng)中的機(jī)會(huì)，而且，我們很高興能夠?yàn)橥獠康拇た蛻籼峁﹔GaN-HV 技術(shù)，支持他們?cè)诟咝阅?strong>功率器件市場(chǎng)上獲得成功。”

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