曾經(jīng)有客戶希望臺(tái)積電的工藝更新?lián)Q代步伐能夠放緩一些，但無論從技術(shù)還是從商業(yè)角度講，臺(tái)積電顯然都不可能這么做，甚至還要加快速度，已經(jīng)決定將16nm FinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。

臺(tái)積電此舉顯然是為了應(yīng)付GlobalFoundries、三星電子的激烈競(jìng)爭(zhēng)，這兩家代工廠都已經(jīng)宣布很快就會(huì)上馬FinFET立體晶體管技術(shù)。

臺(tái)積電原計(jì)劃在2014年底到2015年初量產(chǎn)16nm，現(xiàn)在看起來明年年中就有可能提前實(shí)現(xiàn)，但具體還要取決于試產(chǎn)的良品率成果。

臺(tái)積電首席技術(shù)官孫元成(Jack Sun)表示：“我們對(duì)16nm FinFET工藝在明年的黃金時(shí)代(量產(chǎn))充滿信心。”

他還披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM進(jìn)行測(cè)試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預(yù)期”。標(biāo)準(zhǔn)單元、內(nèi)存單元等基礎(chǔ)性IP都已經(jīng)做好了準(zhǔn)備，但是關(guān)鍵內(nèi)部模塊的測(cè)試要到6月份才會(huì)開始。

有趣的是，就在不久前，Imagination剛剛宣布和臺(tái)積電達(dá)成進(jìn)一步的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，PowerVR 6系列移動(dòng)GPU未來會(huì)使用臺(tái)積電的16nm FinFET工藝生產(chǎn)，而幾乎同時(shí)，ARM和臺(tái)積電也聯(lián)合宣布，64-bit ARMv8架構(gòu)的Cortex-A57芯片已經(jīng)成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺(tái)積電的16nm FinFET。這顯然給了臺(tái)積電十足的動(dòng)力去提速。

臺(tái)積電估計(jì)，64-bit ARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm 32-bit ARM A9高出多達(dá)90%，而相比之下20nm A15核心只能提速大約40%。

FinFET立體晶體管

不過在16nm之前，臺(tái)積電還有一站20nm，量產(chǎn)也得等到明年，那么兩代新工藝安排得如此靠近，臺(tái)積電是如何定位的?

有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，臺(tái)積電其實(shí)把20nm當(dāng)成了一個(gè)過渡，它也不會(huì)給芯片廠商帶來太多優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，臺(tái)積電可不這么想，至少不會(huì)這么說。孫元成聲稱，等到2017年的時(shí)候，臺(tái)積電20nm芯片的產(chǎn)量就會(huì)追上28nm。

他聲稱，臺(tái)積電20nm可比28nm性能提升20%，或者功耗降低30%，柵極密度也將增加大約1.9倍，GlobalFoundries就只能增加20%。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)能在今年完成大約20個(gè)20nm芯片設(shè)計(jì)的流片工作，其中5月份拿到20nm Cortex-A15芯片的樣品。