三星電子日前宣布，開始生產(chǎn)4GB容量低功耗LPDDR3芯片，采用20納米級工藝技術(shù)。

新的4Gb LPDDR3移動芯片，可媲美PC中使用的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的性能水平，使其成為一個有吸引力的解決方案，為要求苛刻的下一代高性能智能手機和平板電腦等移動設(shè)備提供高密度多媒體存儲。

4Gb LPDDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度高達2133Mbp/每引腳，傳輸性能是之前移動內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)LPDDR2 800Mbps的2倍以上。同時，和30納米級的LPDDR3相比，新設(shè)備性能上提高了30%，同時功耗節(jié)省20%。

此外，通過采用三星的4Gb LPDDR3移動DRAM，原始設(shè)備制造商可以達成1個高度僅0.8mm的封包，其中包括四顆三星4Gb LPDDR3移動芯片。

三星還表示，將在2013年晚些時候，增加生產(chǎn)20納米級的移動DRAM芯片。