不僅實現(xiàn)更低導通電阻，還非常有助于智能手機和可穿戴式設備的小型化與高性能化

21ic訊—日本知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機和可穿戴式設備等各種要求小型和薄型的電子設備，開發(fā)出世界最小※尺寸的晶體管“VML0604”(0.6mm×0.4mm，高度0.36mm)。

本產品已于2013年10月份開始出售樣品(樣品價格80日元/個)，計劃于2014年6月份開始以月產1000萬個的規(guī)模投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.(日本京都總部)和ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

近年來，在以智能手機和可穿戴式設備為首的電子設備市場，配套設備的小型化與高性能化日益發(fā)展，對于所搭載的電子元器件的小型化、薄型化要求也日益強烈。

而另一方面，晶體管不僅具有接合的穩(wěn)定性、封裝的加工精度等技術性課題，而且因所搭載元件尺寸受限導致導通電阻上升，因此，產品陣容一直局限于20V耐壓的產品。

特點:

1.　實現(xiàn)世界最小尺寸，安裝面積大幅縮減

此次，通過新型封裝和元件的新工藝，ROHM成功開發(fā)出世界最小尺寸的晶體管“VML0604”(0.6mm×0.4mm，高度0.36mm)。

在封裝技術方面，通過優(yōu)化內部結構，并導入高精度的封裝加工技術，與以往最小晶體管封裝VML0806(0.8mm×0.6mm，高度0.36mm)相比，安裝面積縮減了50%。作為晶體管封裝，已達到世界最小尺寸。

該新型封裝預計將會擴大應用到小信號MOSFET產品，將為各種配套產品進一步節(jié)省空間、實現(xiàn)高密度化做出貢獻。

2.　確保引腳間隔，安裝性良好

隨著小型化的日益發(fā)展，產品在PCB板上的安裝越來越難。

此次通過確保引腳間隔0.2mm，保持了良好的安裝性。

3. 在小型化基礎上，實現(xiàn)世界最高級別的低導通電阻

由于封裝的小型化，導致可搭載的元件尺寸受到限制。元件的尺寸很小時，導通電阻就非常高，往往很難保持以往的小信號晶體管的性能。

但是，本產品的元件采用了新工藝，從而作為30V耐壓產品的超小型晶體管實現(xiàn)了世界最高性能※的低導通電阻0.25Ω(VGS=4.5V時)。

4. 新增 40～60V耐壓產品，實現(xiàn)豐富的產品陣容

由于比以往產品耐壓更高也可保持低導通電阻，因此，新增耐壓達40～60V的產品，完善了產品陣容。

術語解說:

・MOSFET

以高速開關為特點的晶體管的一種。

・導通電阻

給柵極-源極間施加任意電壓時的漏極-源極之間的電阻值。該值越小，電流越容易流通，損耗越小。