據(jù)報道指出，日前在美國的一個國際科技團隊，正式宣布研發(fā)出一種全新技術(shù)，也就是團隊將高性能磁性儲存芯片移植到一塊軟性塑膠表面，且無損其性能。并且透過軟性塑膠的特性，發(fā)展成透明薄膜狀的“軟性智能塑膠芯片”。其擁有優(yōu)異的資料儲存和處理能力，未來若正式商品化，將有望成為未來穿戴式產(chǎn)品中重要的儲存元件。

報道中表示，研發(fā)該款“軟性智能塑膠芯片”，團隊首先將氧化鎂基磁性隧道結(jié)(MTJ)種植在一個矽表面上，接著蝕刻掉下面的矽，再用使用一種轉(zhuǎn)印方法，在一個原料由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的軟性塑膠表面，植入了一個磁性儲存芯片。經(jīng)過測試，新設(shè)備在磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)上的動作明確。由于MRAM在處理速度、能耗、以及可斷電后儲存資料等性能上，都要高于傳統(tǒng)隨機存取記憶體芯片。因此，“軟性智能塑膠芯片”未來與MRAM的整合后，將開創(chuàng)另一種新儲存元件的誕生。

目前，在軟性電子設(shè)備市場中，以軟性磁存放裝置的發(fā)展最受關(guān)注。因為，它們將是未來穿戴電子產(chǎn)品，以及生物醫(yī)學(xué)設(shè)備進行資料存儲和處理的關(guān)鍵零組件。盡管，科學(xué)家已在不同樣式的儲存芯片和材料上進行了多項研究。但是，在軟性基座上打造高性能存儲芯片而無損其性能方面，研究上仍面臨巨大困難。

而目前研發(fā)出該項“軟性智能塑膠芯片”的國際團隊，為新加坡國立大學(xué)、韓國延世大學(xué)、比利時根特大學(xué)、新加坡材料研究所及新加坡工程研究所的科學(xué)家所組合而成。該團隊表示，目前已經(jīng)在美國和韓國為這項技術(shù)申請了專利。目前正在進一步提升該設(shè)備磁阻效能的實驗，并期望未來將產(chǎn)品應(yīng)用于其他電子設(shè)備上。