尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用
[導(dǎo)讀]尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(shù)(NA)為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。 這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,尼
尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(shù)(NA)為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。
這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,尼康沒有公布,估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。
作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題,據(jù)稱利用名為“Local-fill(局部液浸)”的自主技術(shù)已經(jīng)得到解決。另外,還利用“RandomStage”技術(shù)提高了吞吐量。
該設(shè)備原計(jì)劃2005年底至2006年初開始供貨,因此看來開發(fā)工作基本上是按計(jì)劃進(jìn)行的。所供應(yīng)的設(shè)備正在安裝調(diào)試。而荷蘭ASML則計(jì)劃2006年第2季度供應(yīng)NA1.2的曝光設(shè)備,可以想象競爭將會非常激烈。
這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,尼康沒有公布,估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。
作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題,據(jù)稱利用名為“Local-fill(局部液浸)”的自主技術(shù)已經(jīng)得到解決。另外,還利用“RandomStage”技術(shù)提高了吞吐量。
該設(shè)備原計(jì)劃2005年底至2006年初開始供貨,因此看來開發(fā)工作基本上是按計(jì)劃進(jìn)行的。所供應(yīng)的設(shè)備正在安裝調(diào)試。而荷蘭ASML則計(jì)劃2006年第2季度供應(yīng)NA1.2的曝光設(shè)備,可以想象競爭將會非常激烈。





