3月21日，聯(lián)發(fā)科在上海舉行媒體會，披露了其五大模擬產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃，這些模擬產(chǎn)品有望給電子產(chǎn)品的創(chuàng)新帶來新的動力。

一、SerDes產(chǎn)品后來居上，聯(lián)發(fā)科欲進入通信領(lǐng)域？

隨著對信息流量需求的不斷增長，傳統(tǒng)并行接口技術(shù)成為進一步提高數(shù)據(jù)傳輸速率的瓶頸。過去主要用于光纖通信的串行通信技術(shù)——SerDes正在取代傳統(tǒng)并行總線而成為高速接口技術(shù)的主流。在這個領(lǐng)域，聯(lián)發(fā)科已經(jīng)布局，并有可能將聯(lián)發(fā)科帶入新的領(lǐng)域。

SerDes是英文SERializer(串行器)/DESerializer(解串器)的簡稱。它是一種時分多路復用(TDM)、點對點的通信技術(shù)，即在發(fā)送端多路低速并行信號被轉(zhuǎn)換成高速串行信號，經(jīng)過傳輸媒體(光纜或銅線)，最后在接收端高速串行信號重新轉(zhuǎn)換成低速并行信號。這種點對點的串行通信技術(shù)充分利用傳輸媒體的信道容量，減少所需的傳輸信道和器件引腳數(shù)目，從而大大降低通信成本。

SerDes技術(shù)最早應用于廣域網(wǎng)(WAN)通信。陸國宏博士認為隨著消費電子產(chǎn)品信息傳輸速率的提升，SerDes的應用領(lǐng)域?qū)⒎浅拸V，例如Nandflash、存儲、以太網(wǎng)、光通信、MIPI、內(nèi)存等領(lǐng)域?！案鶕?jù)我們的觀察，每四年數(shù)據(jù)速率將提升兩倍，每兩個工藝節(jié)點數(shù)據(jù)速率也會提升兩倍。”陸國宏博士指出，“不過高速率并不意味著高能效，業(yè)界渴望低功耗的SerDes方案，這也是聯(lián)發(fā)科進入這個領(lǐng)域的原因?！?BR>
SerDes應用領(lǐng)域非常多

他指出LPDDR4、MIPI技術(shù)將在移動領(lǐng)域獲廣泛應用，這些都是SerDes可以發(fā)揮的地方，“聯(lián)發(fā)科目前以10GbpsSerDes為切入點，但是我們是后來居上，并預計在50Gbps的技術(shù)節(jié)點達到全球領(lǐng)先水平?！彼麖娬{(diào)。

LPDDR4成移動主流聯(lián)發(fā)科欲在SerDes產(chǎn)品后來居上

2014年3月20日，中國科學技術(shù)大學先進技術(shù)研究院與聯(lián)發(fā)科共同創(chuàng)辦的中國科大—聯(lián)發(fā)科技“高速電子集成電路與系統(tǒng)”聯(lián)合實驗室簽約及揭牌儀式在先進技術(shù)研究院隆重舉行。陸國宏博士指出聯(lián)發(fā)科與科大等高校合作就是希望在SerDes技術(shù)領(lǐng)域獲得突破。由于SerDes在通信領(lǐng)域獲得廣泛應用，因此，聯(lián)發(fā)科在SerDes技術(shù)大軍進軍的也暗示聯(lián)發(fā)科將進入通信領(lǐng)域。

二、無線充電---要一板多用三模統(tǒng)一節(jié)奏？

隨著各大廠商相繼加大對無線充電技術(shù)的支持，無線充電技術(shù)有望在2014年獲得爆發(fā)，不過，目前，無線充電領(lǐng)域PMA、WPC以及A4WP三大標準組織斗法，三大標準不但給產(chǎn)業(yè)用戶造成了兼容性難題還提升了普及成本。

陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科加入了三大標準組織，并希望三大標準能統(tǒng)一起來?！拔覀円呀?jīng)于上月底推出了融合三個充電標準的無線充電解決方案MT3188。這是全球首款兼容三個標準的無線充電產(chǎn)品，它最高支持7W充電，并高度整合，無需外部組件，優(yōu)化BOM成本，將于今年3Q量產(chǎn)?！?BR>
在聯(lián)發(fā)科的無線充電規(guī)劃上，我注意到聯(lián)發(fā)科構(gòu)想的無線充電系統(tǒng)是可以提供智能手機、平板和可穿戴設(shè)備的充電板，也許這樣的三模方案會更實用。陸國宏博士也表示這樣的方案更實用，并透露聯(lián)發(fā)科開發(fā)了一種可以同時進行充電和傳輸數(shù)據(jù)的技術(shù)，將應用在無線充電領(lǐng)域。

三、快充技術(shù)---性能更佳成本更低

針對今年智能手機普遍采用的快充技術(shù)，陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科的快充方案已經(jīng)面市，稱為PumpExpress，“我們的快充方案只需要兩根線VBUS和GND，不需要傳統(tǒng)快充方案的D+和D-信號線（D+、D-值主要進行識別），通過VBUS就可以完成握手協(xié)議和識別，我們的方案通過軟件就可以實現(xiàn)充電器的快充。”他指出，“數(shù)據(jù)顯示，我們的快充方案可以將充電時間加快近一倍?！?BR>
聯(lián)發(fā)科快充方案的另個特點是充電電壓范圍更寬，功率更大，實現(xiàn)了對更多充電器的兼容性，這樣的好處不言而喻----讓聯(lián)發(fā)科的手機可以兼容其他品牌的充電器，因此適應性也更強。

四、音頻產(chǎn)品大飛躍----讓人人用上HIFI手機

陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科將在2014年推出一款高性能的音頻產(chǎn)品，它及codec和放大器于一身，性能指標將超過iphone5和VIVOXplay手機上的音頻產(chǎn)品。“考核音頻產(chǎn)品是兩個指標THD（總諧波失真）和SNR（性噪比），我們的產(chǎn)品在這兩個指標上表現(xiàn)突出。未來我們的音頻產(chǎn)品將配合我們的手機平板平臺給用戶帶來HIFI體驗?！?BR>
聯(lián)發(fā)科的音頻方案性能突出

VIVO手機，馬上遍地都將是HIFI手機了，你造嗎？

陸國宏博士指出這樣的高質(zhì)量音頻產(chǎn)品也將給我們的生活帶來更多優(yōu)質(zhì)體驗，例如多方會議中的語音追蹤、主動降噪，高清錄音等等。

五、模擬基帶支持多模

陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科對中移動4G手機強推五模十頻的做法也感到很意外，不過他表示聯(lián)發(fā)科支持的五模十頻產(chǎn)品將于年內(nèi)面市?！捌鋵嵍嗄Ｌ魬?zhàn)還不算大，更多挑戰(zhàn)來源于支持十頻甚至更多頻帶?！彼硎?。

他表示聯(lián)發(fā)科將會采用更高級的工藝技術(shù)，如20nm\16nm工藝技術(shù)，這些工藝技術(shù)有更好的漏電流，也可以實現(xiàn)更高的集成度。“雖然競爭對手號稱可以提供高集成度的射頻前端產(chǎn)品，但是對于SAW或者其他射頻器件還是因為工藝原因不能集成最終還是要選用分立方案，所以聯(lián)發(fā)科的方案不會考慮集成射頻放大器等器件?！彼麖娬{(diào)?！拔覀兘o客戶提供一個既有集成又有自己價值體現(xiàn)的方案，這個價值體現(xiàn)就是我們基于經(jīng)驗的設(shè)計優(yōu)化，給用戶帶來便利?！?BR>
他表示FinFET晶體管有更好的電路特性，可以給電路帶來性能的提升，預計聯(lián)發(fā)科將于2015或者16年推出基于FinFET晶體管的產(chǎn)品。

陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科在模擬產(chǎn)品方面突出表現(xiàn)源于對模擬IC研發(fā)的投入和深入研究，上圖顯示了聯(lián)發(fā)科在國際四大知名會上上發(fā)表論文的情況。

陸國宏博士長期從事模擬設(shè)計，關(guān)于如何做好模擬設(shè)計，他提出的建議是模擬IC設(shè)計師向下看要了解材料技術(shù)和晶體管基礎(chǔ)，向上看則要了解系統(tǒng)，從系統(tǒng)角度理解IC設(shè)計，并指出其實數(shù)字IC也是模擬設(shè)計，其基礎(chǔ)都是模擬晶體管，所以學好模擬則數(shù)字IC設(shè)計并非難事。