聯(lián)電苦熬一年多的28納米制程有重大突破，承接先進(jìn)網(wǎng)通及高階手機(jī)芯片的關(guān)鍵高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程，已獲全球第二大IC設(shè)計(jì)商博通（Broadcom）認(rèn)證，第2季開始接單投片，營運(yùn)出現(xiàn)大轉(zhuǎn)機(jī)。

目前28納米全球晶圓代工市場(chǎng)由臺(tái)積電獨(dú)霸，聯(lián)電先前一度對(duì)28納米進(jìn)度保守，隨著相關(guān)制程接單報(bào)捷，意味聯(lián)電將可分食臺(tái)積電28納米制程商機(jī)，引爆晶圓雙雄沈寂多時(shí)的高階制程大戰(zhàn)。由于28納米毛利較高，有助聯(lián)電本業(yè)大躍進(jìn)。

聯(lián)電高層證實(shí)28納米HKMG制程良率近期顯著提升，但不評(píng)論個(gè)別客戶認(rèn)證及接單進(jìn)度。市場(chǎng)預(yù)期，未來包括高通、聯(lián)發(fā)科等更多28納米制程設(shè)計(jì)的手機(jī)芯片，也會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)移部分訂單至聯(lián)電。

高通策略暨營運(yùn)資深副總裁戴維森（BillDavidson）日前與臺(tái)灣媒體舉行視訊記者會(huì)時(shí)便透露，高通采取更多元的代工來源是既定政策，當(dāng)時(shí)的談話便暗示一旦聯(lián)電28納米HKMG良率提升之后，高通將考慮對(duì)聯(lián)電釋單。

設(shè)備商透露，聯(lián)電28納米HKMG去年積極追趕臺(tái)積電腳步，并采取以「T-Like」模式，爭(zhēng)取成為臺(tái)積電客戶的第二供應(yīng)來源，但進(jìn)展不如預(yù)期，也使聯(lián)電去年28納米制程營收占比還只是低個(gè)位數(shù)。

聯(lián)電近年因高階制程進(jìn)度落后臺(tái)積電，基本面表現(xiàn)平平，上季僅小賺7億余元，逼近損益兩平；去年全年純益126億元、每股純益1.01元。今年初聯(lián)電執(zhí)行長顏博文在法說會(huì)時(shí)，仍對(duì)28納米HKMG制程進(jìn)展持保守態(tài)度。

法人指出，聯(lián)電去年即已建置28納米HKMG約1.5萬片月產(chǎn)能，隨著良率與接單傳出喜訊，短期內(nèi)仍難撼動(dòng)臺(tái)積電在28納米的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，但對(duì)聯(lián)電而言，意義重大，本業(yè)將迎接轉(zhuǎn)機(jī)。

尤其手機(jī)矽智財(cái)（IP）授權(quán)大廠安謀（ARM）主推28納米制程架構(gòu)平臺(tái)，主攻中低階智能型手機(jī)，獲得高通和聯(lián)發(fā)科、博通及邁威爾等手機(jī)芯片廠采用，預(yù)料第2季開始大量導(dǎo)入。聯(lián)電28納米HKMG適時(shí)切入28納米需求爆發(fā)的時(shí)間點(diǎn)，搭配主力制程40納米和高壓特殊制程訂單持續(xù)強(qiáng)勁，第2季營收將展現(xiàn)強(qiáng)勁爆發(fā)力。

聯(lián)電上周四（27日）股價(jià)跌0.05元、收12.3元。

14納米加速縮短差距

【記者簡(jiǎn)永祥／臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】聯(lián)電28納米制程獲得關(guān)鍵性突破，公司同步啟動(dòng)14納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）正式試產(chǎn)前的「風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)線」建置作業(yè)，預(yù)計(jì)今年底進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年下半年量產(chǎn)，希望能縮小與臺(tái)積電的差距。

據(jù)了解，聯(lián)電14納米以下制程采取加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，與格羅方德及三星成為同一技術(shù)陣營。

聯(lián)電去年即派出工程團(tuán)隊(duì)赴美國參與IBM技術(shù)聯(lián)盟，并在南科設(shè)立研發(fā)中心，準(zhǔn)備將14納米制程導(dǎo)入在聯(lián)電南科12A廠生產(chǎn)。

閱讀秘書／HKMG制程

高介電常數(shù)金屬閘極制程可以有效降低柵極電容，并能讓晶體管縮小，容納更多晶體管數(shù)，減少漏電并提升效能。

隨著智能型手機(jī)追求更輕薄短小，手機(jī)應(yīng)用處理器效能要求更強(qiáng)大、更省電，這項(xiàng)制程即成為承接手機(jī)芯片及可編輯邏元件主流技術(shù)，更被視為邁向鰭式場(chǎng)效電晶（FinFET）等3D架構(gòu)的前期指標(biāo)。