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[導(dǎo)讀]中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組,提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導(dǎo)體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功的證明了GaAs/Ge極化電荷誘導(dǎo)的拓?fù)浣^緣體相,這為拓?fù)浣^緣體的器件應(yīng)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組,提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導(dǎo)體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓?fù)?/strong>絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功的證明了GaAs/Ge極化電荷誘導(dǎo)的拓?fù)浣^緣體相,這為拓?fù)浣^緣體的器件應(yīng)用有向前推進(jìn)了一步。

拓?fù)浣^緣體是目前凝聚態(tài)物理的前沿?zé)狳c問題之一。它具有獨特的電子結(jié)構(gòu),它在體內(nèi)能帶存在能隙,表現(xiàn)出絕緣體的行為;表面或邊界的能帶是線性的無能隙的Dirac錐能譜,因而是金屬態(tài)。這種量子物態(tài)展現(xiàn)出豐富而新奇的物性,如量子自旋霍爾效應(yīng),磁電耦合,量子反?;魻栃?yīng)等。由于這種新奇的物性源自自旋軌道耦合,因而目前所知的拓?fù)浣^緣體都是含有重原子的窄能隙半導(dǎo)體體系,如HgTe,Bi2X3(X=Se,Sb,...)和Heusler合金等材料。這兩個約束極大地限制拓?fù)浣^緣體家族的擴展,而這些材料不夠成熟的生長制備工藝則阻礙了拓?fù)浣^緣體潛在的器件應(yīng)用。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組繼前期首次打破窄能隙和重元素的限制,在常見的半導(dǎo)體材料GaN/InN/GaN中發(fā)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相(Phys.Rev.Lett.109,186803(2012)),首次理論上提出利用表面極化電荷在常見半導(dǎo)體材料GaAs/Ge系統(tǒng)中實現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相。GaAs/Ge系統(tǒng)與GaN/InN/GaN系統(tǒng)相比不同的地方是,GaAs材料和Ge材料晶格常數(shù)匹配,更易于材料的生長。另外GaAs/Ge是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,制造工藝成熟,更利于拓?fù)?strong>絕緣
體器件的集成。該工作對在常見半導(dǎo)體中探索新的拓?fù)?/strong>相,及其開展介觀輸運的研究具有重要的意義。

文章發(fā)表在PhyscalReviewLetters111,156402(2013)。這項工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科學(xué)院和科技部的經(jīng)費支持。

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